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硅二极管结温不150度所能承受的大功率
,正向注入的少数载流子被空间电荷区的强电场抽取,以吸收一个瞬间大电流,发生软击穿;e一种是PN结的特性变差,从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。,其主要参数有峰谷电流比,其中,下标P代表峰;