BSZ099N06LS5ATMA1，英飞凌MOS场效应管原装

英飞凌提供广泛的汽车P沟道功率MOSFET产品组合，采用引线封装，采用OptiMOS™ -P2和Gen5技术。
我们的汽车 P 沟道 MOSFET 产品组合提供 30V、40V、55V 和 150V 产品，具有低的 RDS（开启）在 40 V 和高电流能力
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPD650P06NMATMA1
IPD65R190C7ATMA1
IPD65R1K4C6ATMA1
IPD65R225C7ATMA1
IPD65R380C6BTMA1
IPD65R380E6ATMA1
IPD65R600E6ATMA1
IPD65R950C6ATMA1
IPD70R600CEAUMA1
IPD70R950CEAUMA1
IPD78CN10NGATMA1
IPD80R1K0CEATMA1
IPD80R1K4P7ATMA1
IPD80R2K0P7ATMA1
IPD80R2K4P7ATMA1
IPD80R2K8CEATMA1
IPD80R450P7ATMA1
IPD80R4K5P7ATMA1
IPD80R900P7ATMA1
IPD900P06NMATMA1
更多型号请联系我们的业务专员，我们将竭诚为你服务！

IPD90R1K2C3ATMA2
功能摘要
低比导通电阻（RDS（开启）*一）
输出电容中的能量存储非常低（E开放源码软件） @400V
低栅极电荷（Qg)
经过现场验证的酷苔质量™
CoolMOS™技术自1998年以来一直由英飞凌制造
优点：
率和功率密度
出色的性价比
高可靠性
易于使用Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPD90R1K2C3ATMA2
IPD95R1K2P7ATMA1
IPD95R2K0P7ATMA1
IPD95R450P7ATMA1
IPD95R750P7ATMA1
IPI051N15N5AKSA1
IPI60R125CPXKSA1
IPI60R190C6XKSA1
IPI60R199CPXKSA1
IPI60R280C6XKSA1
IPI65R600C6XKSA1
IPI70R950CEXKSA1
IPL60R065P7AUMA1
IPL60R085P7AUMA1
IPL60R104C7AUMA1
IPL60R125P7AUMA1
IPL60R180P6AUMA1
IPL60R185C7AUMA1
IPL60R185P7AUMA1
IPL60R199CPAUMA1
IPL60R210P6AUMA1
英飞凌常用MOSFET型号大量现货，欢迎商务联系合作！

汽车 N 沟道 MOSFET
凭借采用多种封装的汽车 N 沟道 MOSFET 产品组合，我们的 MOSFET 可提供的设计灵活性并满足广泛的需求。从 3mm x 3mm 开始，到 10mm x 15mm 的尺寸，您可以找到满足您应用需求的 MOSFET。
此外，新发布的用于40V电机驱动应用的半桥封装，以及用于高功率密度应用的新顶部冷却10mm x 15mm，完善了满足这些特殊要求的产品组合，分别节省了空间和冷却组件的额外成本。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPD60R180P7ATMA1
IPD60R1K0CEAUMA1
IPD60R1K4C6ATMA1
IPD60R1K5CEAUMA1
IPD60R280P7ATMA1
IPD60R360P7ATMA1
IPD60R380E6BTMA1
IPD60R380P6ATMA1
IPD60R385CPATMA1
IPD60R3K3C6ATMA1
IPD60R3K4CEAUMA1
IPD60R400CEAUMA1
IPD60R450E6ATMA1
IPD60R600C6ATMA1
IPD60R600E6BTMA1
IPD60R600P7ATMA1
IPD60R650CEAUMA1
IPD60R750E6ATMA1
IPD60R800CEAUMA1
IPD60R950C6ATMA1
原装承诺，合作共赢！

英飞凌广泛的 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品组合小巧紧凑，包括OptiMOS™和StrongIRFET™适用于低、中、高功率应用的技术。
低压 12 V-40 V MOSFET 产品系列包括 20 V N 沟道功率 MOSFET、30 V N 沟道 MOSFET 和 40 V N 沟道 MOSFET。英飞凌的™ 光电产品组合提供更高的效率和功率密度，而庞大的产品组合强式红外场效应管™产品提供、坚固的设计以及的性能。通过提供两者OptiMOS™和StrongIRFET™在产品系列中，英飞凌提供节省空间的解决方案不仅优化了热性能，而且在减小尺寸的同时提高了额定电流。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPB0401NM5SATMA1
IPB044N15N5ATMA1
IPB048N15N5ATMA1
IPB049N08N5ATMA1
IPB060N15N5ATMA1
IPB107N20NAATMA1
IPB110P06LMATMA1
IPB19DP10NMATMA1
IPB320P10LMATMA1
IPB330P10NMATMA1
IPB50R140CPATMA1
IPB50R199CPATMA1
IPB60R040C7ATMA1
IPB60R045P7ATMA1
IPB60R060C7ATMA1
IPB60R099C6ATMA1
IPB60R099C7ATMA1
IPB60R099CPATMA1
IPB60R099P7ATMA1
IPB60R120C7ATMA1
英飞凌大量原装现货，让您合作无忧。

12V-40V N 沟道 MOSFET 产品组合
英飞凌的功率MOSFET 12 V-40 V产品组合分为两类。类是“主动和”，指的是提供同类佳性能和低R的新可用技术DS（开启）.第二类是“有源”，非常适合宽开关频率，并提供业界佳的品质因数（FOM）以及率和功率密度。广泛的产品组合OptiMOS™和StrongIRFET™为广泛的需求提供解决方案。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPA80R600P7XKSA1
IPA80R650CEXKSA2
IPA80R900P7XKSA1
IPA90R1K2C3XKSA2
IPA90R340C3XKSA2
IPA95R450P7XKSA1
IPB011N04LGATMA1
IPB011N04NGATMA1
IPB015N04LGATMA1
IPB015N04NGATMA1
IPB015N08N5ATMA1
IPB017N10N5ATMA1
IPB019N08N5ATMA1
IPB020N04NGATMA1
IPB020N08N5ATMA1
IPB020N10N5ATMA1
IPB024N08N5ATMA1
IPB027N10N5ATMA1
IPB031N08N5ATMA1
IPB034N03LGATMA1
更多型号请联系，网站内手机，期待你的合作！

静电保护_浪涌电压保护：当今的消费电子设备中，静电保护（ESD）对于保障严酷瞬变环境下系统的稳健性至关重要。英飞凌提供多种TVS（瞬变电压抑制）二极管，以从系统层面保护电子设备。
快速增长的芯片级封装系列
英飞凌不断地扩大芯片级封装的TVS二极管系列，力求在超小型封装内，以竞争力的价格提供的保护性能，同时质量水平高，性能稳健。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
SPW32N50C3FKSA1
SPW35N60C3FKSA1
SPW47N65C3FKSA1
2N7002H6327XTSA2
AUIRF1404ZSTRLCT
AUIRF1405ZS-7TRL
AUIRFS3004-7P-IR
AUIRFS3006-7P-IR
AUIRFSA8409-7TRL
BSC009NE2LSCT-ND
BSC010N04LSATMA1
BSC010NE2LSATMA1
BSC011N03LSATMA1
BSC014N04LSATMA1
BSC014N06NSATMA1
BSC016N06NSATMA1
BSC019N04LSATMA1
BSC022N04LSATMA1
BSC026N04LSATMA1
BSC028N06NSATMA1
英飞凌常用型号常备现货，交货快捷迅速！

IRFR13N15DTRPBF产品特性：
采用 D-Pak 封装的 150V 单 N 沟道六通道六角形场效应管功率 MOSFET
符合 RoHS 标准
低导通电阻
行业的质量
动态 dv/dt 额定值
快速切换
完全雪崩额定
175°C 工作温度
LSI后缀中的I表示OptiMOS™的附加功能，即英飞凌超级势垒二极管（单片集成肖特基二极
管）。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IRFR13N15DTRPBF
IRFR13N20DTRPBF
IRFR15N20DTRPBF
IRFR18N15DTRPBF
IRFR2307ZTRLPBF
IRFR24N15DTRPBF
IRFR3709ZTRLPBF
IRFR3710ZTRLPBF
IRFR7746PBF-INF
IRFR9024NTRLPBF
IRFR9120NTRLPBF
IRFR9N20DTRLPBF
IRFS3207ZTRRPBF
IRFS3307ZTRLPBF
IRFS3307ZTRRPBF
IRFS4310ZTRLPBF
IRFS4410PBF-INF
IRFS4410ZTRLPBF
IRFU3607TRL701P
IRFU4105ZPBF-IR
常用型号大量现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

IRF150P220AKMA1
采用 TO-150 封装的 247V 单 N 沟道强红外场效应管™功率 MOSFET
功能特性：
极低的RDS（开启）
出色的栅极电荷 x RDS（开启）（FOM）
优化的 Q 值RR
175°C 工作温度
根据JEDEC标准进行产品验证
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优
降低传导损耗
高开关频率的理想选择
更低的过冲电压
与 150°C 额定部件相比，可靠性更高
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
IRF150P220AKMA1
IRF150P220XKMA1
IRF150P221AKMA1
IRF2807ZSTRLPBF
IRF2907ZSTRLPBF
IRF3205ZSTRLPBF
IRF3709ZSTRRPBF
IRF3710ZSTRLPBF
IRF3805STRL-7PP
IRF40SC240ARMA1
IRF6726MTRPBFTR
IRF9530NSTRLPBF
IRF9530NSTRRPBF
IRF9540NSTRLPBF
IRF9540NSTRRPBF
IRF9Z24NSTRLPBF
IRF9Z34NSTRLPBF
IRFI1010NPBF-IR
IRFI7536GPBF-IR
IRFR1010ZTRLPBF
常用型号大量原装现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

IPP040N06NAKSA1特性：
OptiMOS™ 5 60V针对开关模式电源（SMPS）的同步整流进行了优化，例如服务器、台式机和平板电脑充电器中的电源。此外，这些器件是各种工业应用的理想选择，包括电机控制、太阳能微型逆变器和快速开关 DC-DC 转换器。
主要功能：
针对同步整流进行了优化
R 降低 40%DS（开启）比替代设备
FOM 比同类设备提高 40%
符合 RoHS 标准 - 无卤素
MSL1 等级
优点：
高的系统效率
需要更少的并联
提高功率密度
降低系统成本
极低电压过冲
IPP040N06NAKSA1
IPP060N06NAKSA1
IPP100N06S2L-05
IPP100N08S2L-07
IPT004N03LATMA1
IPT007N06NATMA1
IPT012N06NATMA1
IPZ40N04S5L-2R8
IPZ40N04S5L-7R4
IRF100P218AKMA1
IRF100P219AKMA1
IRF100P219XKMA1
IRF1010ESTRLPBF
IRF1010NSTRLPBF
IRF1010NSTRRPBF
IRF1010ZSTRLPBF
IRF1018ESTRLPBF
IRF1310NSTRLPBF
IRF1404ZSTRLPBF
IRF1405ZSTRLPBF
常用型号大量原装现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！