碳化硅加压烧结银国产有压烧结银碳化硅烧结银

目前尽可能从机械方面集成电力电子系统所有的功能，碳化硅、氮化镓（射频／非射频）模块封装也向着更高的集成度方向发展。

个难题：烧结银膏技术
在芯片与基板的连接中，传统有基板焊接功率模块中，焊接连接往往是模块上的机械薄弱点。

由于材料的热膨胀系数不同、高温波动和运行过程中的过度负载循环将导致焊料层疲劳，影响宽禁带半导体模块的可靠性。

同时在此基础上开发出双面银烧结技术，将银带烧结在芯片正面代替了铝线，或取消底板将基板直接烧结在散热器上，大大简化了模块封装的结构。

目前SHAREX开发的银烧结技术已经由微米银烧结进入纳米银烧结阶段，纳米加压烧结银与市面上原来售卖的微米烧结银技术相比：

善仁新材新推出的有压烧结银AS9385的剪切强度达到93.277MPa，剪切强度大大超过目前市面上主流的有压烧结银的剪切强度，大家可能对93.277MPa没有概念，作为对比，目前市面上的德国某品牌的有压烧结银剪切强度为68MPa，美国某品牌的有压烧结银剪切强度为67MPa。