TSV绝缘层
TSV 的⾦属填充需要用到绝缘层来对硅衬底进⾏充分的电⽓隔离。绝 缘层的⼯
艺要求包括良好的阶梯覆盖率，⽆漏电流，低应⼒，⾼击穿电 压，以及不同
的 TSV 集成引起的加⼯温度的限制。⼆氧化硅(SiO2)或 氮化硅(Si3N4)是常用于
等离⼦体增强化学⽓相沉积(PECVD)或减压 化学⽓相沉积(SACVD)的绝缘层。
然⽽，当 TSV 直径小于 3 μm 时， 绝缘层更适用于原⼦层沉积(ALD)。ALD有
⼏个优势，如较低的热预 算，比现有流程更好的阶梯覆盖率，⽆需再进⾏表面
处理，并且由于较薄 的绝缘层，降低了 TSV 的 CMP 加⼯时间。
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