吉林ZEISS电子显微镜分辨率

Gemini 物镜的设计结合了静电场与磁场， 在提升光学性能的同时将它们对样品的影 响降至低。因此，即便是要求苛刻的样 品 —— 如磁性材料，也能进行成像。 在 Gemini 镜筒设计理念中， Inlens 用二次 电子( SE ) 和背散射电子( BSE ) 探测器来 确保的信号检测。

Gemini 2 型电子光学镜筒让 GeminiSEM 460 成为高束流下获取高分辨率成像和快速 分析的理想之选。另外，它还集上一代 Gemini 光学系统的所有优势于一身。例如， 确保了大视野范围内的无畸变 EBSD 分析和 高分辨率成像的物镜无漏磁设计。
因此您也能够在不影响电子光学性能的前 提下倾斜样品， 甚至还能轻松完成磁性样 品成像。

智能自动光路调节( Smart Autopilot)
与 Nano-twin 物镜相结合，新的智能自动光 路调节让您受益于以下特点：
• 通过聚光镜优化所有工作条件下的电子束 会聚角，在每种工作能量下都能获得出色 的分辨率。

• 通过 Nano-twin 物镜实现低电压下的优 化高分辨率
• 通过新的大视野概览模式实现样品导航和 高分辨率成像之间的无缝过渡
• 通过新的自动聚焦功能和新的快速镜筒对 中算法实现高速优化图像质量。

分辨率模式
在高分辨率电子枪模式下， 电子束色差降低， 从而实现更小的束斑。
在样品台减速技术模式下， 为样品施加减 速电压。该减速电压可进一步提高 1 kV 以 下的图像分辨率并增强背散射探测器的检 测效率。

全套探测系统： 根据出射能量和出射角选 择性地探测样品的电子
GeminiSEM 系列的全套探测系统有大量不同 的探测器可供选配。通过组合 EsB (能量选 择背散射) 探测器、 Inlens 二次电子探测器 及 AsB (角度选择背散射) 探测器获取样品 材料、表面形貌或结晶度的信息。入射电子 与样品作用后可产生二次电子( SE ) 和背散 射电子( BSE )。从纳米级样品表面逃逸出的、 能量小于 50 eV 的二次电子可用来表征样 品的表面形貌。这些二次电子可通过特设 计的电子束推进器向后加速进入镜筒，并经 Gemini 物镜投射到环形 Inlens 二次电子探测 器里。 GeminiSEM 可根据样品的表面条件在 宽角度范围内探测二次电子。