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邢台烧结银纳米银导电胶ssp2020材质,纳米银

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大功率半导体器件的应用与挑战

移动、数据通信/电信、消费和汽车电子应用中设备的功能扩展和尺寸缩小,日益推动功率密度的增加,因而需要更有效地管理散热。界面导热材料的使用在板级和元器件级解决了一定的问题;但在芯片级的有效解决方案,是整体导热平衡的一个重要环节。

厚膜技术是集电子材料、多层布线技术、表面微组装及平面集成技术于一体的微电子技术。在满足大部分电子封装和互连要求方面,厚膜技术已历史悠久。特别是在可靠小批量的、航空航天产品以及大批量工业用便携式无线产品中,该技术都发挥出了显著的优势。厚膜材料是有机介质掺入微细金属粉、玻璃粉或陶瓷粉末的混合物,通过丝网印刷工艺,印制到绝缘基板上。无机相的选择可确定厚膜成分的功能性,金属或金属合金无机相组成导体,金属合金或钉系化合物组成厚膜电阻。
在微电子领域中,用厚膜技术和薄膜技术都可以在基板上形成导体,电阻和各类介质膜层。但这两者不仅膜层的厚度不同,成膜的方式也相去甚远。
典型厚膜元件的厚度为0.5 至1 密耳 (即12.7~24.5μm) 或更厚一些,而薄膜元件的膜层一般小于1μm,作为导带还可薄至3 nm左右,薄膜技术主要采用蒸发和溅射工艺成膜。
厚膜技术是采用丝网印刷、烧结工艺来成膜的。厚膜印刷所用的材料是一种特殊的材料——浆料。它具备下列三方面的性能。
1.可印刷性,染料需具备一定的粘度,且粘度随刮板所施加的切变力而减少,且具有触变性 。
2.功能特性:例如作为电阻、导体、介质等所需的特性。
3.工艺兼容性:浆料应与基板有良好附着性能,各类浆料配合使用时,在整个工艺过程中不同浆料彼此之间以及与基板都不会产生不良反应。
厚膜技术中所用基板一般为陶瓷基板,在厚膜混合集成电路中使用得广泛的是95%~97%的氧化铝基板,其它还有氧化铍及氮化铝基板等。
汐源科技公司配合航天企业国产化推出厚膜浆料以及陶瓷基板产品,产品可代替杜邦/京瓷部分型号

HENKEL公司成功制备了无压烧结导电银浆。可实现高功率器件封装的批产。Ablestik SSP2000是款使用了汉高银烧结技术的材料,它是一种高可靠性的芯片粘接材料, 非常适用于IGBT和高功率LED产品等功率模块的集成。
汐源科技公司提供汉高HENKEL 烧结银 8068AT和SSP2020产品

导热填隙垫片贝格斯
BERGQUIST GAP PAD VOUS
BERGQUIST GAP PAD HC 3.0
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BERGQUIST Q pad 2
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相变材料
BERGQUIST HIGH-FLOW 225UT
BERGQUIST HIGH-FLOW 565UT
BERGQUIST HIGH-FLOW 300P
BERGQUIST HIGH-FLOW 650P
ABLESTIK 104粘合剂 环氧树脂胶粘剂 双组份胶 高温胶 ABLESTIK 104粘合剂 环氧树脂胶粘剂 双组份胶 高温胶
LOCTITE ABLESTIK 104,环氧树脂,组件
LOCTITE®ABLESTIK 104粘合剂专为需要温度暴露的应用而设计。这种粘合剂可以承受高达230ºC的连续暴露温度。它还可以承受高达280ºC的短期暴露温度。
的耐化学性
不导电
高剪切强度







YSOL STYCAST 2561/CAT 11
HYSOL STYCAST 2651MM/CATALYST 23LV
HYSOL STYCAST 2651MM/CATALYST 9
HYSOL STYCAST 2850FT/CAT 11
HYSOL STYCAST 2850FT/CAT 23 LV
HYSOL STYCAST 2850KT/CATALYST 9
HYSOL STYCAST 2850MT/CATALYST 24LV
HYSOL STYCAST 50500D
HYSOL STYCAST A312
HYSOL STYCAST E1070
HYSOL STYCAST E1847
HYSOL STYCAST EFF15 SYNTACTIC FOAM POWDER
HYSOL STYCAST U2500
LOCTITE ABLESTIK 104
乐泰ABLESTIK 2902 系为需要良好机械特性和电气特性组合的电子粘接和密封应用设计。LOCTITE ABLESTIK 2902 通过美国太空 (NASA) 排气标准
导电的
导热的
无溶剂
高附着力
医疗器件导电胶,低温固化导电胶,光纤导电胶,2902低应力导电胶。
体积电阻率, 24 hr. @ 25°C 0.001 Ohm cm
储存温度 27.0 °C
剪切强度, 铝 700.0 psi
固化方式 室温固化
固化时间, 推荐的 @ 25.0 °C 24.0 小时
基材 陶瓷
外观形态 膏状
技术类型 环氧树脂
操作温度 -60.0 - 110.0 °C
粘度 CP52, Speed 10 rpm 20000.0 mPa.s (cP)
组分数量 双组份

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