中国有色金属产品质量监督检验中心检测机构,娄底高纯铝杂质分析成分检测中心

由于承担与镀膜设备配合、承受高压水冷等作用，需要具备的尺寸精度与机械精度，加工难度较高。尤其是带内循环水路的背板。由于材质的特殊性，水路的密闭焊接非常困难。需要用到特种焊接工艺，l金属化：靶坯与背板在绑定之前，为增强靶材和靶材与焊朴的全属润湿性能，需要进行焊合面的预处理，使之表面锭上一层过渡层，l绑定：大部分靶材由于材料的物理或者化学性能受限，不可直接装机镀膜使用。需要采用金属焊料将靶坯与背板相互焊合连接，并且表面有效粘结率需要达到大于95%的大面积焊合，整个过程需要在高温和高压下进行，以铝靶材制造过程为例。

接近纯的ITO薄膜的电阻率，FPD和导电玻璃的尺寸都相当火，导电玻璃的宽度甚至可以达到3133_，为了提高靶材的利用率，开发了不同形状的ITO靶材，如圆柱形等，2000年，国家发展员会、科学技术部在《当前发展的信息产业领域指南》中，ITO大型靶材也列入其中，存储用，在储存技术方面，高密度、大容量硬盘的发展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展，用它制造的磁光盘具有存储容量大，寿命长。可反复无接触擦写的特点，如今开发出来的磁光盘。

铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。显示器用，平面显示器（FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场。亦将带动ITO靶材的技术与市场需求，如今的iTO靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟和氧化锡粉混合后烧结。一种是采用铟锡合金靶材。铟锡合金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取种方法生产ITO靶材，利用L}IRF反应溅射镀膜．它具有沉积速度快．且能控制膜厚。

铋为银白色至粉红色的金属。质脆易粉碎，铋的化学性质较稳定。铋在自然界中以游离金属和矿物的形式存在，以前铋被认为是相对原子质量大的稳定元素，但在2003年，发现了铋有极其微弱的放射性，同时测定了它的半衰期长达19×1019年，这意味着或许在人类灭亡之前，铋也不会发生可见的衰变。铋金属除了与铅、锡、镉、铟等金属组成低熔点合金以外，还有一些特殊的用途被人们广泛地运用于工业、医学、航空航天、核工业等领域。1、锗酸铋晶体(BGO)：锗酸铋晶体是新型闪烁晶体，多用于核辐射探测器、X射线层表面扫描仪(即CT)，2、铋系超导材料在法、日、美、中等国相继发现铋锶钙铜氧化物在液氮冷却下的高温超导性之后。

其名源自tellus。意为“土地”，1782年米勒·冯·赖兴施泰因(FJMüllervonReichenstein)发现，碲为斜方晶系银白色结晶。溶于硫酸、硝酸、王水、氰化钾、氢氧化钾；不溶于冷水和热水、二硫化碳，高纯碲以碲粉为原料，用多硫化钠抽提精制而得，纯度为99999%。供半导体器件、合金、化工原料及铸铁、橡胶、玻璃等工业作添加剂用。碲有两种同素异形体，即黑色粉末状、无定形碲和银白色、金属光泽、六方晶系的晶态碲半导体。禁带宽034电子伏，[4]。碲的两种同素异形体中，一种是晶体的碲，具有金属光泽，银白色。

高纯碲是化学式为Te，熔点为450℃的单质，性质：纯度在99999%以上的碲，有5N。6N和7N三种规格，灰白色金属光泽的结晶，六方晶格。密度624g/cm3，熔点450℃，沸点989℃。室温下不与氧起作用，加热时能与氢作用生成碲化氢，其显著的性质是用它制成的二元、三元、四元合金具有很好的光电性能及温差电转换性能，以95%～99%纯度的工业碲为原料，采用碱性(或酸性)溶液电解或区域熔炼相结合的方法制取。用于太阳能电池、发光二极管、辐射探测器制造。为半导体掺杂剂，碲(tellurium)是一种准金属，元素符号为Te。