1756-OB16D
1756-OB16E
1756-OB16I
1756-OB16IS
1756-OB32
2、四线电阻屏
四线电阻屏在表面保护涂层和基层之间覆着两层透明电导层ITO（ITO：氧化铟，弱导电体，特性是当厚度降到1800个埃（埃=10-10米）以下时会突然变得透明，再薄下去透光率反而下降，到300埃厚度时透光率又上升。是所有电阻屏及电容屏的主要材料。），两层分别对应X，Y轴，它门之间用细微透明绝缘颗粒绝缘，当触摸时产生的压力使两导电层接通，由于电阻值的变化而得到触摸的X，Y坐标。
当发射换能器发射一个窄脉冲后，声波能量历经不同途径到达接收换能器，走右边的早到达，走左边的晚到达，早到达的和晚到达的这些声波能量叠加成一个较宽的波形信号，不难看出，接收信号集合了所有在X轴方向历经长短不同路径回归的声波能量，它们在Y轴走过的路程是相同的，但在X轴上，远的比近的多走了两倍X轴大距离。因此这个波形信号的时间轴反映各原始波形叠加前的位置，也就是X轴坐标。
6ES7 314-1AG14-0AB0 CPU314,128K内存
6ES7 314-6BG03-0AB0
6ES7314-6BH04-0AB0 CPU314C-2PTP 96K内存 24DI/16DO / 4AI/2AO
6ES7 314-6CG03-0AB0
6ES7314-6CH04-0AB0 CPU314C-2DP 96K内存 24DI/16DO / 4AI/2AO
6ES7 314-6EH04-0AB0 CPU314C-2PN/DP 192K内存/24DI/16DO/ 4AI/2AO
6ES7 314-6CG03-9AM0 CPU314C-2DP 96K内存 24DI/16DO / 4AI/2AO组合件(6ES7 314-6CG03-0AB0+6ES7 392-1AM00-0AA0*2)
6ES7 315-2AG10-0AB0 CPU315-2DP, 128K内存
6ES7 315-2AH14-0AB0 CPU315-2DP, 256K内存
6ES7 315-2EH13-0AB0
6ES7315-2EH14-0AB0 CPU315-2 PN/DP, 256K内存
6ES7 317-2AJ10-0AB0
6ES7317-2AK14-0AB0 CPU317-2DP,512K内存
6ES7 317-2EK13-0AB0
6ES7317-2EK14-0AB0 CPU317-2 PN/DP,1MB内存
6ES7 318-3EL00-0AB0
6ES7318-3EL01-0AB0 CPU319-3PN/DP,1.4M内存
内存卡
6ES7 953-8LF20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡 64kByte(MMC)
6ES7953-8LF30-0AA0
6ES7 953-8L20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡128KByte(MMC)
6ES7953-8LG30-0AA0
6ES7 953-8LJ20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡512KByte(MMC)
6ES7953-8LJ30-0AA0
6ES7 953-8LL20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡2MByte(MMC)
6ES7953-8LL31-0AA0
6ES7 953-8LM20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡4MByte(MMC)
6ES7953-8LM31-0AA0
6ES7 953-8LP20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡8MByte(MMC)
6ES7953-8LP31-0AA0