W632GU6NB11K，WINBOND/华邦内存闪存芯片

W25Q256JV特性：
SpiFlash 存储器系列 – W25Q256JV：256M 位 / 32M 字节 – 标准 SPI： CLK， /CS， DI， DO – 双 SPI： CLK， /CS， IO0， IO1， – 四通道 SPI： CLK， /CS， IO0， IO1， IO2， IO3 – 3 或 4 字节寻址模式 – 软件和硬件复位（1）  串行闪存 – 133MHz 标准/双通道/四通道 SPI 时钟 – 相当于 266/532MHz 双通道/四通道 SPI – 66MB/S 连续数据传输速率 – 每个扇区至少 100K 编程擦除周期 – 超过 20 年的数据保留 的“连续读取” – 四通道外设接口 – 允许真正的 XIP（就地执行）操作 – 优于 X16 并行闪存  低功耗、宽温度范围 – 2.7 至 3.6V 单电源 –<1μA 关断（典型值） – -40°C 至 +85°C 工作范围 – -40°C 至 +105°C 工作范围
华邦其他型号：
W25Q128FVEIG W25Q128FWFIG
W25Q128FVFG W25Q128FWFIQ
W25Q128FVFIG W25Q128FWPF
W25Q128FVIQ W25Q128FWPG
W25Q128FVPIG W25Q128FWPIF
W25Q128FVPIQ W25Q128FWPIG
W25Q128FVPQ W25Q128FWPIM
W25Q128FVSAQ W25Q128FWPM
W25Q128FVSIG W25Q128FWSBQ
W25Q128FVSIQ W25Q128FWSIF
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多信息咨询我们的销售人员。

W25Q16F系列：
W25Q16FWUXIE
W25Q16FWBYIG
W25Q16FWSSIQ
W25Q16FWUUIQ
W25Q16FWSNIQ
W25Q16FWZPIQ
W25Q16FWSNIG
W25Q16FWSSIG
W25Q16FWSVIQ
W25Q16FWBIYG
产品特性：
W25Q16FW（16M 位）串行闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。
25Q 系列提供的灵活性和性能远远超过普通串行闪存设备。
它们非常适合将代码影子复制到 RAM，直接从双/四通道 SPI （XIP） 执行代码并存储语音、文本和数据。
该器件采用 1.65V 至 1.95V 单电源供电，电流消耗低至 4mA 有效，关断电流低至 1μA。所有器件均采用节省空间的封装。
串行闪存 – 104MHz 单通道、双通道/四通道 SPI 时钟 – 等效于 208/416MHz 双通道/四通道 SPI – 50MB/S 连续数据传输速率 – 每个扇区至少 100K 编程擦除周期 – 超过 20 年的数据保留
W25X系列支援Dual-SPI双线输出入模式，相当于将原本标准SPI的操作频率变为两倍。W25Q系列是25X系列的进阶版，可支援Quad-I/O SPI四线输出入模式提供更高的效能，操作频率104MHz同等于416MHz（50M-Byte/S传输率），相当于是一般单线SPI操作的4倍效能。W25Q系列不但效能超过Parallel flash，还提供更少脚位的封装。
更快的传输率代表控制器可以直接透过SPI介面与闪存做晶片内执行（XIP， eXecute In Place），或是加快复制代码到RAM使开机速度加快。除此之外，部份SpiFlash支援QPI （Quad Peripheral Interface）让指令集可更快的传输，加快XIP的传输效率。另外更小的封装， 更利于对设计空间有限的手持和行动装置应用。®
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q16DVZPIG W25Q16FWSSIQ
W25Q16DVZPIQ W25Q16FWSVIQ
W25Q16DWBYIG W25Q16FWUUAQ
W25Q16DWSNAG W25Q16FWUUIQ
W25Q16DWSSIG W25Q16FWUXIE
W25Q16DWUUIG W25Q16FWZPIQ
W25Q16DWYS06 W25Q16JLSNIG
W25Q16DWZPIG W25Q16JVBYIQ
W25Q16FWBYIG W25Q16JVNIQ
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W9825G6JB系列型号：
W9825G6JB-6
W9825G6JB-6I
W9825G6JB-75一般描述：
W9825G6JB汽车级是一款高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为4M字4组16位。该器件提供高达每秒 166M 字的数据带宽。W9825G6JB分为以下速度等级：-6，-6I和-75。-6 级符合 166MHz/CL3 或 133MHz/CL2 规范。-6I 工业级符合 166MHz/CL3 规范，支持 -40°C ≤ TA ≤ 85°C。 -75 级符合 133MHz/CL3 规范。
特点：
3.3V ± 0.3V 电源 
高达 166 MHz 的时钟频率 
4，194，304 字  4 库  16 位组织 
自刷新模式：标准和低功耗  CAS 延迟：2 和 3 
突发长度：1、2、4、8 和整页 
突发读取，单次写入模式  字节数据由LDQM控制， UDQM 
掉电模式  自动预充电和受控预充电  8K 刷新周期/64 mS 
接口：LVTTL  采用 TFBGA 54 球 （8x8 mm2） 封装，
使用符合 RoHS 标准的无铅材料
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q16JVSAQ W25Q16JVUXIQ
W25Q16JVSIQ W25Q16JVZPIM
W25Q16JVSNIM W25Q16JVZPIQ
W25Q16JVSNIQ W25Q16JVZPIQ-TR
W25Q16JVSNIQT W25Q16JWSNIM
W25Q16JVSSIQ W25Q16JWSNIQ
W25Q16JVSSIQT W25Q16JWSSIQ
W25Q16JVSSIQTR W25Q16JWXHIQ
W25Q16JVSSIQ-TR W25Q16VSSIG
W25Q16JVUUIQ W25Q20BWZPIG
W25Q16JVUXIM W25Q20CLSNIG
公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。

W634GU6NB-12
W634GU6NB-11
W634GU6NB-09
W634GU6NB-15
DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的频宽并广泛用于汽车，工业，电视，机上盒，网路设备，电脑，BD播放器等。
已发布的 CAS，具有可编程的加性延迟（AL = 0、CL - 1 和 CL - 2），可提高命令、地址和数据总线效率
读取延迟 = 附加延迟加上 CAS 延迟 （RL = AL + CL） 读取和写入突发
的自动预充电操作 刷新、自刷新、自动自刷新 （ASR） 和部分阵列自刷新 （PASR）
预充电掉电和主动断电
用于写入数据
的数据掩码 （DM）
每个工作频率
的可编程 CAS 写入延迟 （CWL） 写入延迟 WL = AL + CWL
多用途寄存器 （MPR），用于读出预定义的系统时序校准位序列 通过写入电平和 MPR 读取模式
支持系统级时序校准 ZQ 使用外部基准电阻对地对地对输出
驱动器和 ODT 进行校准 用于上电初始化序列
和复位功能的
可编程片上端接 （ODT），用于数据、数据掩模和差分选通对
动态 ODT 模式可改善写入
期间的信号完整性和可预选的端接阻抗 2K 字节页面大小
接口：SSTL_15
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q20EWBYIG W25Q256JVEIM
W25Q20EWSVIG W25Q256JVEIQ
W25Q20EWUXIE W25Q256JVEIQT
W25Q256FVEIG W25Q256JVEQ
W25Q256FVEIM W25Q256JVFAM
W25Q256FVEIQ W25Q256JVFIM
W25Q256FVEJQ W25Q256JVFIN
W25Q256FVEM W25Q256JVFIQ
W25Q256FVFG W25Q256JVFJQ
W25Q256FVFIG W25Q256JVFQ
W25Q256JVEAQ W25Q256JWFIQ
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W29N02KV系列产品：
W29N02KVSIAF
W29N02KVBIAF
一般描述 W29N02KV（2G 位）NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的嵌入式系统提供了存储解决方案。它是 RAM、固态应用程序的代码阴影和存储媒体数据（如语音、视频、文本和照片）的理想选择。该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电，3V 时有功电流消耗低至 25mA，CMOS 待机电流为 10uA。 内存阵列总计 285，212，672 字节，并组织成 2，048 个 139，264 字节的可擦除块。 每个块由 64 个可编程页面组成，每个页面 2，176 字节。每个页面由 2，048 字节用于主数据存储和 128 字节用于备用数据区域组成（备用区域通常用于错误管理功能）。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q256JWFQ W25Q32FVAIQ
W25Q32BVAIG W25Q32FVCIP
W25Q32BVFIG W25Q32FVDAIQ
W25Q32BVIG W25Q32FVFIG
W25Q32BVS1G W25Q32FVIG
W25Q32BVSIG W25Q32FVSFIG
W25Q32BVSSAG W25Q32FVSIG
W25Q32BVSSIG W25Q32FVSIQ
W25Q32BVZPIG W25Q32FVSSIG
W25Q32DWSSIG W25Q32FVSSIQ
W25Q32DWZPIG W25Q32FVTBIP
主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。

一般描述 ：W29N02GV（2G 位）NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的嵌入式系统提供存储解决方案。它是 RAM、固态应用程序的代码阴影和存储媒体数据（如语音、视频、文本和照片）的理想选择。该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电，3V 时有功电流消耗低至 25mA，CMOS 待机电流为 10uA。 内存阵列总计 276，824，064 字节，并组织成 2，048 个 135，168 字节的可擦除块。 每个块由 64 个可编程页面组成，每个页面 2，112 字节。每个页面由主数据存储区域的 2，048 字节和备用数据区域的 64 字节组成（备用区域通常用于错误管理功能）。 W29N02GV 支持标准 NAND 闪存接口，使用多路复用 8 位总线传输数据、地址和命令指令。五个控制信号（CLE、ALE、#CE、#RE和#WE处理总线接口协议。此外，该器件还有另外两个信号引脚，#WP（写保护）和 RY/#BY（就绪/忙碌），用于监控器件状态。
W25Q256FV：
3 字节或 4 字节寻址模式
UID 和 OTP 功能
易失性和非易失性 SR
单个块/扇区写保护
可编程输出驱动器强度
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q32FVTCIG W25Q32JVSSIQ
W25Q32FVTCIP W25Q32JVSSIQT
W25Q32FVZPIG W25Q32JVSSIQ-T
W25Q32FWBYIC W25Q32JVTBIQ
W25Q32FWIG W25Q32JVTCIM
W25Q32FWSSAQ W25Q32JVTCIQ
W25Q32FWSSIG W25Q32JVXGIQ
W25Q32FWXGIG W25Q32JVZEIQ
W25Q32FWZPIG W25Q32JVZPAQ
W25Q32JVSIQ W25Q32JVZPIG
W25Q32JVSNIQ W25Q32JVZPIM
W25Q32JVSSAM W25Q32JVZPIQ
公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。