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TARF-P6111光刻胶TOK

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商品详情

Substrate

BARC on Si

Resist Thickness

250nm

P.A.B

130℃, 60sec

Exposure

ArF stepper

Exposure Condition

NA: 0.85, σ: 0.60

True Camphor

Binary

P.E.B

130℃, 60sec

Development

TMAH 2.38%, LD nozzle, 30sec


下一条:DOWBCB3022-46光刻胶光致抗蚀剂
厦门良厦贸易有限公司为你提供的“TARF-P6111光刻胶TOK”详细介绍
厦门良厦贸易有限公司
主营:pti粉尘DMT KSL,日本狮力昂UV膜,KNF GE 美国海诺威,杜克
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