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NiV靶高纯镍钒靶半导体靶材薄膜太阳能靶材镍合金靶

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镍钒靶材

名称:镍钒(NiV)靶材 Nickel Vanadium Target

纯度:99.9%,99.95%, 99.99%

形状:平面靶,柱状靶,电弧靶,异型靶

 

在集成电路的膜层中一般用金做导电层,但金与晶圆(硅)容易生成AuSi低熔点化合物,导致金与硅界面粘接不牢固,因此在金和硅晶圆的表面之间增加了粘接层。一般用纯镍做粘接层,但镍膜层和金膜导电层之间也会扩散,因此还需要阻挡层,来防止金膜层和镍膜层之间的扩散。阻挡层常常采用熔点高的金属,还要承受较大的电流密度,高属钒便能满足该要求。所以在集成电路领域会用到镍溅射靶材、钒溅射靶材、金溅射靶材等。镍钒溅射靶材是在镍熔体中加入钒,制成镍钒合金靶材,该合金铁磁性较弱,更有利于磁控溅射,可同时实现镍溅射靶材和钒溅射靶材的优点,一次完成镍层(粘接层)和钒层(阻挡层)的制备。由于镍钒合金无磁性,广泛应用在电子及信息产业等领域。

我们生产的Ni-7V wt%靶材规格值

纯度

主成分(wt%)

杂质元素(≤ppm

杂质之和(≤ppm)

V

Fe

Al

Si

C

N

O

S

99.99

7±0.5

20

30

20

100

30

100

20

100

99.95

7±0.5

200

200

200

100

100

200

50

500

99.9

7±0.5

300

300

300

100

100

200

50

500

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