FGA6560WDF，IGBT模块ON/安森美原装优势供应商

MM74HC08简述：
MXMM74HC08 AND门采用的硅栅CMOS技术，可实现与LS-TTL门相似的工作速度，并具有标准CMOS集成电路的低功耗。HC08 具有缓冲输出，提供高抗噪性，并能够驱动 10 个 LS-TTL 负载。74HC 逻辑系列在功能和引脚排列上与标准 74LS 逻辑系列兼容。所有输入均受到内部二极管箝位的保护，不会因静电放电而损坏至 V抄送和地面。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
FCH110N65F-F155
NVH4L060N090SC1
NTH4L070N120M3S
NTH4L045N065SC1
NTH4L014N120M3P
NTH4L060N090SC1
NTH4L022N120M3S
NVH4L045N065SC1
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NCV7805BDTRKG线性稳压器是单片集成电路，设计为固定电压稳压器，适用于各种应用，包括本地卡上调节。这些稳压器采用内部电流限制、热关断和安全区域补偿。通过足够的散热，它们可以提供超过 1.0 A 的输出电流。虽然这些器件主要设计为固定电压调节器，但可以与外部元件一起使用，以获得可调节的电压和电流。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCV70628MW001R2G
NCV70517MW002R2G
FFSB2065BDN-F085
FFSH1265BDN-F085
NRVTS1545EMFST1G
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NCP4318BLCDR2G：
NCP4318是一种混合模式，它使用瞬时漏极电压和先前死区时间信息，用于LLC谐振转换器的同步整流（SR）控制器，只需少的外部元件。自适应死区时间控制可补偿感应寄生电感电压，以大限度地提高SR MOSFET导通和效率。多级关断阈值控制和 SR 电流反转检测功能可防止快速负载瞬变期间的反转电流，并允许在整个负载范围内稳定地 SR 操作。此外，为了提高轻载效率，VGATE自适应地从10V降至6V/5V。ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
ISL9V5036P3-F085
AFGY160T65SPD-B4
FGH50T65SQD-F155
FGH50T65SQD-F155
FGH75T65SHD-F155
FGH75T65SHD-F155
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MOC3041SR2M概述：
MOC303XM和MOC304XM器件由一个光耦合到单片硅探测器的AlGaAs红外发射二极管组成，该二极管具有零电压交叉双边三端双向可控硅驱动器的功能。
它们设计用于逻辑系统接口中的三端双向可控硅，用于由 115VAC 线路供电的设备，例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NB100LVEP221MNRG
M74VHC1GT126DF1G
MC100LVEP05MNTXG
FCH029N65S3-F155
NTTFS2D1N04HLTWG
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NTMFS6H818NT1G单N沟道功率MOSFET，80V，123A，3.7mΩ
汽车功率MOSFET采用5x6mm扁平引线封装，专为紧凑、的设计而设计，并具有高热性能。
NUP4202W1T2G
NUP4202W1浪涌保护器设计用于保护高速数据线免受 ESD、EFT 和雷击的影响。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NVMFS2D3P04M8LT1G
NVMFS5C638NLWFT1G
MT9J003I12STMU-DP
MT9P006I12STCU-DR
AR0140CS2C00SUEA0
AR0833CS3C12SUAA0
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NCP1380DDR2G简述：
NCP1380是一款器件，旨在为准谐振转换器供电。该控制器利用专有的谷值锁定系统，随着功率负载变轻而换档并降低开关频率。尽管开关事件总是在漏源谷触发，但仍能实现稳定运行。该系统工作到第 4 谷，并切换到变频模式，确保出色的待机功率性能。为了提高过载情况下的安全性，该控制器包括一个过功率保护 （OPP） 电路，该电路将输送的功率箝位在高压线路上。在安全方面，固定的内部定时器依靠反馈电压来检测故障。定时器结束后，控制器停止并保持选项 A 和 C 的锁定状态，或进入选项 B 和 D 的自动恢复模式。 该控制器特别适用于适配器应用，其引脚可实现组合过压/过热保护（A 和 B 型）或组合掉压/过压保护（C 和 D 型）。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
FGY120T65SPD-F085
FGH40T65SHDF-F155
FCHD040N65S3-F155
NVD5117PLT4G-VF01
NTMFS002P03P8ZT1G
NVMFS5C410NLAFT1G
NVMFS3D6N10MCLT1G
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