单片集成多比特光时延芯片
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硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片
〖简介Introduction〗
单片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能优和集成度高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，大总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit。相比于传统采用微波传输线的电时延芯片，光时延器可以适用任意的微波和毫米波频段，具有极低的串扰和的非目标时延信号消光比。大时延 1ns 的 9bit 可调光延时芯片尺寸小至 50px×37.5px，大幅度减小系统体积；由于光载波频率相对于微波信号大至 4 个数量级的频率比，光子集成的时延器芯片具有覆盖从米波到毫米波全频段的信号处理能力，适合各类超宽带相控阵的波束合成应用。
特性
高速切换（100～200ns）
高延时精度（0.5ps 典型值，0.2ps 可达）
超小尺寸
超宽带工作
全固态波导芯片可靠性强
大时延范围(～2ns 可达)
高功率耐受度（ 23dBm 典型值）
应用
光控相控阵系统、超宽带光域信号处理
主要性能指标
性能指标Parameter | 单位Unit | 典型值Typ. | 备注Notes |
工作波长Operationwavelength | nm | 1530-1570 | |
延时位数Delay bits | / | 9 | 可定制Can be customized |
小延时步进Min.step-delay | ps | 2 | 可定制Can be customized |
可调节大延时量Adjustable max.delay | ps | 1022 | |
延时精度Time-delay accuracy
| ps | ±0.5 | ≤16ps 延时量 delay time |
±1 | 18~64ps 延时量delay time | ||
±2 | 66~512ps 延时量delay time | ||
±3 | 514~1022ps 延时量delay time | ||
延时切换时间Delay switching time | ns | 200 | |
插入损耗Insertion loss | dB | 11 | 13dB max |
各延时态损耗差异Delay state loss difference | dB | ±1 | |
大耐受光功率Max. tolerance opticl power | dBm | 23 | 26dBm max |
回波损耗Return loss | dB | 45 | |
芯片尺寸Chip dimension | mm | 20×15×0.7 |