商品详情大图

单片集成多比特光时延芯片

及时发货 交易保障 卖家承担邮费

商品详情

硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片

〖简介Introduction

 单片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术,是目前综合性能优和集成度高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构,芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路,延时切换时间达到 200ns 以下,大总时延量 1022ps;延时精度 0.5ps,片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit。相比于传统采用微波传输线的电时延芯片,光时延器可以适用任意的微波和毫米波频段,具有极低的串扰和的非目标时延信号消光比。大时延 1ns 的 9bit 可调光延时芯片尺寸小至 50px×37.5px,大幅度减小系统体积;由于光载波频率相对于微波信号大至 4 个数量级的频率比,光子集成的时延器芯片具有覆盖从米波到毫米波全频段的信号处理能力,适合各类超宽带相控阵的波束合成应用。

特性

  • 高速切换(100~200ns)

  • 高延时精度(0.5ps 典型值,0.2ps 可达)

  • 超小尺寸

  • 超宽带工作

  • 全固态波导芯片可靠性强

  • 大时延范围(~2ns 可达)

  • 高功率耐受度( 23dBm 典型值)

应用

  • 光控相控阵系统、超宽带光域信号处理

主要性能指标

性能指标Parameter

单位Unit

典型值Typ.

备注Notes

工作波长Operationwavelength

nm

1530-1570


延时位数Delay bits

/

9

可定制Can be customized

小延时步进Min.step-delay

ps

2

可定制Can be customized

可调节大延时量Adjustable max.delay

ps

1022


延时精度Time-delay accuracy

 

ps

±0.5

≤16ps 延时量 delay time

±1

18~64ps 延时量delay time

±2

66~512ps 延时量delay time

±3

514~1022ps 延时量delay time

延时切换时间Delay switching time

ns

200


插入损耗Insertion loss

dB

11

13dB max

各延时态损耗差异Delay state loss difference

dB

±1


大耐受光功率Max. tolerance opticl power

dBm

23

26dBm max

回波损耗Return loss

dB

45


芯片尺寸Chip dimension

mm

20×15×0.7








下一条:四川梓冠光电1278nmdfb激光器
四川梓冠光电科技有限公司为你提供的“单片集成多比特光时延芯片”详细介绍
四川梓冠光电科技有限公司
主营:光开关,衰减器,延迟线,光无源器件
联系卖家 进入商铺

集成多比特光时延芯片信息

最新信息推荐

进店 拨打电话 微信