湾泰芯片键合固定蜡,贵州晶圆临时固定石蜡灌封

背景技术：

2.由于碳化硅(sic)材料具有禁带宽度宽、临界击穿场强高、热导率大等的物理特性，使得sic功率器件具有耐高压、耐高温、开关速度快、开关损耗小等特点，在航天航空、智能电网、轨道交通、新能源发电、电动汽车、工业电源等领域有广泛的用途。
3.为了降低sic功率器件的导通电阻，以提升器件性能。通常情况下，在sic功率器件的膜层结构制备完成后，需要对sic衬底进行减薄处理。但是，这样一来，一方面导致大量(例如近200～300um)的sic纯粹被研磨浪费，另一方面由于sic材料硬度几乎达到金刚石水平，传统机械减薄速率小、磨头损伤大，且sic衬底破裂风险。从而导致sic功率器件制备成本和销售价格居高不下，严重限制sic功率器件在各领域的推广应用。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种晶圆的减薄方法，用于解决sic功率器件良率低、工艺复杂、制备成本高的问题。
5.为达到上述目的，本技术采用如下技术方案：
6.方面，提供一种晶圆的减薄方法，可以应用于对半导体组件中的复合衬底进行减薄。晶圆或者理解为复合衬底，包括层叠设置的碳化硅层、介质层以及第二碳化硅层；晶圆具有相对的侧和第二侧，第二碳化硅层远离碳化硅层的一侧为晶圆的侧；晶圆的减薄方法，包括：在第二侧将临时衬底载片与晶圆临时键合；从侧对晶圆进行激光照射，使激光的能量在第二碳化硅层与介质层的界面处进行聚焦烧蚀，使得第二碳化硅层与介质层分离。
7.本技术实施例提供的晶圆的减薄方法，由于晶圆为三明治叠层结构，其包含有介质层存在，而介质层与第二碳化硅层的折射率不同。因此，激光从第二碳化硅层远离碳化硅层的表面照射入晶圆后，激光很容易在介质层与第二碳化硅层的界面处聚焦吸收。通过加大激光能量，达到介质层的熔点，可实现第二碳化硅层从碳化硅层上剥离，以实现对晶圆的减薄。剥离下来的第二碳化硅层可以重复利用，用于制备新的晶圆。因此，采用本技术实施例提供的晶圆的减薄方法对晶圆进行减薄，可以降低半导体器件的制备成本。
8.在一种可能的实施例中，第二碳化硅层对激光的吸收系数小于本征吸收系数。通过使第二碳化硅层对激光具有低吸收系数或者透明的特性，以降低第二碳化硅层激光能量的损耗，提高聚焦烧蚀的效果。
9.在一种可能的实施例中，激光在第二碳化硅层与介质层的界面处发生非线性吸收。
10.在一种可能的实施例中，临时键合的键合温度小于或等于300℃。这样一来，可以避免临时键合工艺温度过高，对半导体组件中开关功能组件产生影响(例如导致开关功能
组件中的金属结构熔化)。
11.在一种可能的实施例中，临时衬底载片的熔点大于临时键合的键合温度。这样一来，可以避免临时键合过程中，临时衬底载片溶解，无法对半导体组件起到支撑作用。
12.在一种可能的实施例中，在第二侧将临时衬底载片与所述晶圆临时键合，包括：用临时键合胶，在所述第二侧将临时衬底载片与所述晶圆临时键合。工艺成熟，成本低。
13.在一种可能的实施例中，从侧对晶圆进行激光照射，包括：采用红外激光，从侧对晶圆进行激光照射。工艺成熟，成本低。
14.在一种可能的实施例中，晶圆的减薄方法还包括：对碳化硅层远离临时衬底载片的表面进行处理，以去除介质层的残余。通过对碳化硅层远离临时衬底载片的表面进行处理，使碳化硅层远离临时衬底载片的表面满足粗糙度等要求，便于后续制作金属电极等结构。
15.在一种可能的实施例中，对碳化硅层远离临时衬底载片的表面进行处理，包括：通过湿法腐蚀、干法刻蚀或者清洗中的至少一种方式对碳化硅层远离临时衬底载片的表面进行处理。
16.在一种可能的实施例中，晶圆的第二侧还设置有开关功能组件；在第二侧将临时衬底载片与晶圆临时键合，包括：将临时衬底载片与开关功能组件临时键合。由于对晶圆进行减薄的过程是在晶圆上形成开关功能组件之后进行的。因此，本技术实施例提供的晶圆的减薄方法，可以与半导体器件制备过程中的高温工艺兼容。

VALTRON®TriAct™DF切丁液系列由非离子表面活性剂、消毒活性物质和其他功能性物质配制而成
用于半导体晶圆切丁过程的配料。它们能有效消除硅尘颗粒，消毒
生产系统管路，提供易于冲洗的低泡沫快速坍缩型材，有助于阻止微生物生长活动
浓缩或低稀释，防止腐蚀，减少和中和静电荷。除了清洁，VALTRON®
TriAct™DF系列润滑切丁刀片，在稀释率高达1:400时，可显著降低摩擦和表面张力
起到冷却剂的作用，减少导致硅片裂纹的热量。

UltraLux™LF系列
临时安装用液体蜡粘合剂
VALTRON®UltraLux™LF系列液体蜡粘合剂是专为半导体和光伏晶圆基片大于
直径两英寸。UltraLux™LF系列液体蜡粘合剂具有高的粘结强度，良好的耐温性和低
粘度，为器件晶圆和晶圆基片提供可靠的薄层黏合剂。

特的功能
•在高加工速度下具有高粘结强度
•高软化点和熔点
•粘度低，流动性好
•超紧TTVVALTRON®UltraLux™的涂层可以通过旋转涂层机完成
或理想的涂层方法。溶剂可以被蒸发掉
烘烤(推荐温度为100°C-120°C)。挂载
基材到所需的基材载体板上。拆卸可以
通过浸渍和浸泡粘附的衬底来完成
放入异丙醇浴中。为了加速
拆装过程中，在40°C-60°C加热IPA浴
推荐。使用IPA可以清洁基板
或使用VALTRON®SP2200洗涤剂进行精密清洗。

Ablestik：
导电银胶:主要经营有ABLEBOND 84-1A、84-1LMI、 84-1LMINB(B1)、 84-1LMISR4、84-1LMIT(T1)、 826-1DS、826-2、2600AT、2600BT、2185A、2030SC、2100A、3185、8290、8340、8360、8352L、968-2、979-1、71-1、JM7000等一系列产品,适用于半导体(IC)封装(如DIP/SOP/TO-92/BGA...)、LED(如普通发光二极管/LAMP/大功率管/数码管...)等领域,用于各种贴片、点胶、背胶等工艺.

绝缘胶:主要经营有ABLEBOND84-3、84-3J、84-3LV、84-3MV、789-3、789-4、2025D 、2025M、 2035SC 、8384、8387A、8387B、2039H、DX-10、DX-20-4等一系列产品,适用于半导体(IC)封装、摄像头(CMOS/CCD)工艺、LED、智能卡等领域,用于各种贴片、或有粘贴的等工艺.

UV胶:主要经营有ABLELUXHGA-3E、HGA-3S、A4021T、A4035T、A4039T、A4061T、A4083T、A4086T、A4088T、A4502、CC4310、AA50T 、BF-4 、OG RFI146T等一系列UV紫外固化胶,适用于光电、光电仪表、光纤、手机摄像头(CMOS)等领域;如手机摄像头Lens固定,光纤耦合器(Coupler),激光器(Laser),跳线(Jamper),衰减器(Attenuator),探测器(Detector)等。

胶膜:主要经营有ABLEFILM506 、508、550S、561K、570K、5020、5020K、5025E等一系列产品,适用于各种电子产品,产品,电源等。
一种环氧树脂型粘结体系，银胶吸湿性低，用于液晶显示屏、发光二极管、无线有线通讯设备、晶体振荡器、集成电路芯片等电子元件和组件的封装与粘接，亦可应用于金属与金属之间的粘接。
产品优点
 适合于高速点胶工艺，的触变性无爬胶现象
 满足高耐温使用要求
 的粘接力
 的 85℃/85%RH 稳定性
国产芯片导电胶，国产化代替品导电胶，绝缘胶9969导电胶 9973绝缘胶。