无压烧结银优势、银烧结流程及烧结银应用
随着高功率芯片，器件和模组的日益发展，散热性需要大幅度的提高，无压烧结银是解决散热性的。
剪切强度大（剪切强度大于80MPA（2*2镀金芯片））；
4.操作简单（无需加压，普通烘箱即可烧结）；
三、无压烧结银的应用
1.功率半导体应用
烧结银技术功率测试板块一旦通过了高温循环测试，就可以至少提高五倍的寿命，实现从芯片到散热器的封装连接。
需要形成金属镀层与基板之间的原子扩散,形成原子结合。该连接需要在AS9375系列烧结银互连过程中稳定,需要在可靠性测试：比如温度循环测试，高低温测试等测试中保持高剪切强度的连接,并且具有较低的界面热阻。
润湿性好
随着第三代半导体器件向高温、大功率方向的发展,AMB基板、DBC基板以及散热器表面的金属镀层需要满足高结温可靠性的要求。
4、金属间化合物尽量少
需要尽量避免产生金属间化合物。金属间化合物一般为脆性,三元金属间化合物比二元金属间化合物更脆,易导致可靠性问题。如不能避免,需要尽量形成较薄的、不连续的金属间化合物层。