北京半烧结银半烧结导电银浆半烧结银和全烧结银

新能源车的高速发展，带动不断增大的激光器和驱动芯片功率，对散热提出了更高的挑战。半烧结银AS9330是连接半导体晶体管和元器件的关键材料，起到导电和导热的作用，影响元器件电路导通、功能实现及稳定性。

而烧结技术通过高温使AS9330表面原子互相扩散，从而形成致密结构的过程，也称之为“低温烧结技术”。加入纳米银粒子的低温烧结技术大大提升了导热及导电性能，可满足对于第三代半导体高功率器件的电子互联应用。

半烧结银AS9330是为芯片粘接提供了一种无铅(LEAD FREE)的替代方案，适用于高功率密度半导体封装, 符合RoHS要求。

AS9330半烧结银无需高温高压，可以在175度至200度温度范围下低温烧结并且粘接力稳定。剪切强度高达45MPA。

AS9330结合了性能、可靠性和可加工性。对于那些希望找到焊料的无铅替代品（无需昂贵或复杂的加工，又能确保与传统材料同等或更优的性能）的封装而言，AS9330烧结银可以全面满足他们的需求，同样也为实现第三代半导体功率的电子互联提供很好解决方案。

半烧结银AS9330粘结尺寸过大时，建议一个界面开导气槽； 一个界面涂布烧结银AS9330时，涂布的要均匀