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纳米烧结银德国烧结银替代浙江烧结银

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有压银烧结AS9385是一种新型的高可靠芯片粘接和键合技术,可确保无空隙和高强度键合,并具有的导热性和导电性。 该技术可以将器件的结温 (Tj) 低降至150℃。

相对于焊料合金,银烧结技术可以更有效的提高大功率硅基IGBT模块的工作环境温度及使用寿命。目前,AS9385银烧结技术已受到高温功率电子领域的广泛关注,它特别适合作为高温SiC器件等宽禁带半导体功率模块的芯片互连界面材料。

2.银烧结技术原理
AS9385银烧结技术是一种对微米级及以下的银颗粒在250℃以下进行烧结,通过原子间的扩散从而实现良好连接的技术。所用的烧结材料的基本成分是银颗粒,根据状态不同,烧结材料一般为烧结银膏工艺为:AS9385烧结银膏印刷印刷——预热烘烤——芯片贴片——加压烧结;

芯片转印是指将芯片在银膜上压一下,利用芯片锐利的边缘,在银膜上切出一个相同面积的银膜并粘连到芯片背面。

以AS9385有压烧结银膏为例,在烧结过程中,银颗粒通过接触形成烧结颈,银原子通过扩散迁移到烧结颈区域,从而烧结颈不断长大,相邻银颗粒之间的距离逐渐缩小,形成连续的孔隙网络,随着烧结过程的进行,孔洞逐渐变小,烧结密度和强度显著增加,在烧结后阶段,多数孔洞被完全分割,小孔洞逐渐消失,大空洞逐渐变小,直到达到终的致密度。

下一条:三代半烧结银加压烧结银膏
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