东城收购钴酸锂厂家

合成钴酸锂的常用方法有溶胶凝胶法、低温共沉淀法及高温固相法等。表1为钴酸锂合成方法及优缺点。AbdulAziz等[6]通过溶胶凝胶法制备钴酸锂，应用在硝酸锂的水性电解液电池中也具有较高的初始比容量115.49mAh/g。Wu等[7]采用低温共沉淀法合成钴酸锂，在3.0~4.5 V@1.0 C，1

体相掺杂能够稳定材料结构，抑制不可逆相变，提高材料循环性能。体相掺杂包含：(1)阳离子掺杂：阳离子通常指价态不正三价的离子，主要有锂空位、锂离子、镁离子、铝离子、锆离子等。A.R.West等[8]将镁离子引入到钴酸锂中，认为镁离子掺杂更倾向于钴的位置，使得钴的价态提高，产生一种导入型P型半导体掺杂，同时产生部分锂空位，能够在一定程度上提高电子电导，其研究成果对后续镁离子掺杂起到引导作用

Delmas等[9]认为只有镁掺杂达到一定的量才能形成连续通道，表现出金属特性区域，才会反应出电子电导提升的现象。目前，二价镁离子是工业生产成功掺杂元素之一。三价元素掺杂，主要分为无化学活性的硼、铝、铱，有化学活性的锰、镍、铬等元素。

Gopukumar等[12]发现适量的钛掺杂能提高材料的放电比容量，同时钛元素的掺杂后能降低钴的平均价态，提高材料循环稳定性。YongseonKim等[13]通过性原理计算及实验验证，钛元素不容易掺杂到钴酸锂晶格，更容易富集在材料表面；(3)共掺杂：Zhang Jie Nan等[14]采用钛、镁、铝痕量元素共掺杂

(3)电子离子双导体包覆：电极是一种的电子离子导体，JoongSun Park等[17]发现AlWxFy是一种良好的电子离子导体，包覆钴酸锂在4.5V下具有电化学性能；(4)电子离子双绝缘包覆：常用的有镁、铝、钛、锆等氧化物。

(2)表面界面结构的控制：主要通过引入新的表面包覆优化表面结构，抑制过渡金属溶解，抑制表面重构，从而达到提的目的；



(3)抑制表层氧的活性：氧的溢出伴随着过渡金属溶解及产气的发生。通过表层处理及高压电解液的配套使用，降低材料表面气体溢出，从而达到提高高温稳定性及循环性能的目的。