普陀出售MOSFET二极管现货供应

在SiC-MOSFET中，当向漏极施加负电压时，以源极为基准，体二极管处于正向偏置状态。绿色曲线表示Vgs=0V时的特性，即MOSFET处于关断状态，没有通道电流，因此该条件下的Vd-Id特性可以看作是体二极管的Vf-If特性。正如“何谓碳化硅”中提到的，SiC具有更宽的带隙，因此其体二极管的Vf比Si-MOSFET大得多。

功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

FET用作具有两个触点的导电半导体通道-“源极”和漏极。 GATE结可以被理解为作为MOS结构的2端子电路，该MOS结构用作整流反向偏置模式。 通常，在经典工作情况下，GATE阻抗较高。根据这些标准的FET通常是MOSFET，JFET，金属半导体FET（MESFET）和异质结构FET。 在这些FET中，MOSFET是重要的晶体管之一，通常用于各种应用。