背景技术：
2.由于碳化硅(sic)材料具有禁带宽度宽、临界击穿场强高、热导率大等的物理特性，使得sic功率器件具有耐高压、耐高温、开关速度快、开关损耗小等特点，在航天航空、智能电网、轨道交通、新能源发电、电动汽车、工业电源等领域有广泛的用途。
3.为了降低sic功率器件的导通电阻，以提升器件性能。通常情况下，在sic功率器件的膜层结构制备完成后，需要对sic衬底进行减薄处理。但是，这样一来，一方面导致大量(例如近200～300um)的sic纯粹被研磨浪费，另一方面由于sic材料硬度几乎达到金刚石水平，传统机械减薄速率小、磨头损伤大，且sic衬底破裂风险。从而导致sic功率器件制备成本和销售价格居高不下，严重限制sic功率器件在各领域的推广应用。
技术实现要素：
4.本技术实施例提供一种晶圆的减薄方法，用于解决sic功率器件良率低、工艺复杂、制备成本高的问题。
5.为达到上述目的，本技术采用如下技术方案：
6.方面，提供一种晶圆的减薄方法，可以应用于对半导体组件中的复合衬底进行减薄。晶圆或者理解为复合衬底，包括层叠设置的碳化硅层、介质层以及第二碳化硅层；晶圆具有相对的侧和第二侧，第二碳化硅层远离碳化硅层的一侧为晶圆的侧；晶圆的减薄方法，包括：在第二侧将临时衬底载片与晶圆临时键合；从侧对晶圆进行激光照射，使激光的能量在第二碳化硅层与介质层的界面处进行聚焦烧蚀，使得第二碳化硅层与介质层分离。
7.本技术实施例提供的晶圆的减薄方法，由于晶圆为三明治叠层结构，其包含有介质层存在，而介质层与第二碳化硅层的折射率不同。因此，激光从第二碳化硅层远离碳化硅层的表面照射入晶圆后，激光很容易在介质层与第二碳化硅层的界面处聚焦吸收。通过加大激光能量，达到介质层的熔点，可实现第二碳化硅层从碳化硅层上剥离，以实现对晶圆的减薄。剥离下来的第二碳化硅层可以重复利用，用于制备新的晶圆。因此，采用本技术实施例提供的晶圆的减薄方法对晶圆进行减薄，可以降低半导体器件的制备成本。
8.在一种可能的实施例中，第二碳化硅层对激光的吸收系数小于本征吸收系数。通过使第二碳化硅层对激光具有低吸收系数或者透明的特性，以降低第二碳化硅层激光能量的损耗，提高聚焦烧蚀的效果。
9.在一种可能的实施例中，激光在第二碳化硅层与介质层的界面处发生非线性吸收。
10.在一种可能的实施例中，临时键合的键合温度小于或等于300℃。这样一来，可以避免临时键合工艺温度过高，对半导体组件中开关功能组件产生影响(例如导致开关功能
组件中的金属结构熔化)。
11.在一种可能的实施例中，临时衬底载片的熔点大于临时键合的键合温度。这样一来，可以避免临时键合过程中，临时衬底载片溶解，无法对半导体组件起到支撑作用。
12.在一种可能的实施例中，在第二侧将临时衬底载片与所述晶圆临时键合，包括：用临时键合胶，在所述第二侧将临时衬底载片与所述晶圆临时键合。工艺成熟，成本低。
13.在一种可能的实施例中，从侧对晶圆进行激光照射，包括：采用红外激光，从侧对晶圆进行激光照射。工艺成熟，成本低。
14.在一种可能的实施例中，晶圆的减薄方法还包括：对碳化硅层远离临时衬底载片的表面进行处理，以去除介质层的残余。通过对碳化硅层远离临时衬底载片的表面进行处理，使碳化硅层远离临时衬底载片的表面满足粗糙度等要求，便于后续制作金属电极等结构。
15.在一种可能的实施例中，对碳化硅层远离临时衬底载片的表面进行处理，包括：通过湿法腐蚀、干法刻蚀或者清洗中的至少一种方式对碳化硅层远离临时衬底载片的表面进行处理。
16.在一种可能的实施例中，晶圆的第二侧还设置有开关功能组件；在第二侧将临时衬底载片与晶圆临时键合，包括：将临时衬底载片与开关功能组件临时键合。由于对晶圆进行减薄的过程是在晶圆上形成开关功能组件之后进行的。因此，本技术实施例提供的晶圆的减薄方法，可以与半导体器件制备过程中的高温工艺兼容。
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