SPS1M002PET,温湿度传感器ON/安森美原装现货供应
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¥15.00
MM74HC08简述:
MXMM74HC08 AND门采用的硅栅CMOS技术,可实现与LS-TTL门相似的工作速度,并具有标准CMOS集成电路的低功耗。HC08 具有缓冲输出,提供高抗噪性,并能够驱动 10 个 LS-TTL 负载。74HC 逻辑系列在功能和引脚排列上与标准 74LS 逻辑系列兼容。所有输入均受到内部二极管箝位的保护,不会因静电放电而损坏至 V抄送和地面。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
FCH110N65F-F155
NVH4L060N090SC1
NTH4L070N120M3S
NTH4L045N065SC1
NTH4L014N120M3P
NTH4L060N090SC1
NTH4L022N120M3S
NVH4L045N065SC1
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NCV1117DT50RKG
NCP1117 系列是低压差 (LDO) 正线性稳压器,能够在整个温度范围内提供超过 1.0 A 的输出电流,大压差为 1.2 V(800 mA)。该系列包含 1.5 V、1.8 V、2.0 V、2.5 V、2.85 V、3.3 V、5.0 V 和 12 V 的 1 个固定输出电压,没有维持稳压的小负载要求。此外,还包括一个可调输出版本,可通过两个外部电阻器在 25.18V 至 8.1V 范围内进行编程。片上微调将基准/输出电压调节至+/- 0.1117%精度以内。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和过温关断保护。NCP20 系列可在高达 223 V 的输入电压下工作。器件采用 SOT<> 和 DPAK 封装。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
ADT7462ACPZ-REEL
CAT24M01HU5I-GT3
MC74ACT541DWR2G
74VCX163245MTDX
FFH50US60S-F085
NCV97400MW00R2G
NCP81111MNB5TXG
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NTHL027N65S3HF功率场效应管, MOSFET, N沟道, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 75 A, 27.4 mΩ, TO-247®®
功率场效应管, MOSFET, N沟道, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 75 A, 27.4 mΩ, TO-247®®
SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,该系列采用电荷平衡技术,具有出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。这种的技术旨在大限度地降低传导损耗,提供的开关性能,并承受极端的dv/dt速率。因此,SUPERFET III MOSFET 非常适合各种小型化和更率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可以去除额外的组件并提高系统可靠性。
CAT811TTBI-GT3
CAT811 和 CAT812 是微处理器监控电路,用于监控数字系统中的电源。CAT811 和 CAT812 是 MAX811 和 MAX812 的直接替代产品,工作在工业温度范围内;两者都具有手动复位输入。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NCV8177BMX330TCG
LP2950CDT-5.0RKG
MC100EL1648DTR2G
LM2575D2T-ADJR4G
LM2575D2T-ADJR4G
NCV891930MW01R2G
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FDC6330L适用于需要 3V 至 20V 输入和 2.3A 输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。该负载开关集成了一个小型 N 沟道功率 MOSFET (Q1),该 MOSFET 在一个微型 SuperSOT-2™ 封装中驱动一个大型 P 沟道功率 MOSFET (Q6)。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NCV4276CDSADJR4G
NCP3335ADM180R2G
NCP3335ADM250R2G
NCV8730ASN330T1G
NCV8730ASN330T1G
NCV59749MNADJTBG
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NCP4318BLCDR2G:
NCP4318是一种混合模式,它使用瞬时漏极电压和先前死区时间信息,用于LLC谐振转换器的同步整流(SR)控制器,只需少的外部元件。自适应死区时间控制可补偿感应寄生电感电压,以大限度地提高SR MOSFET导通和效率。多级关断阈值控制和 SR 电流反转检测功能可防止快速负载瞬变期间的反转电流,并允许在整个负载范围内稳定地 SR 操作。此外,为了提高轻载效率,VGATE自适应地从10V降至6V/5V。ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
ISL9V5036P3-F085
AFGY160T65SPD-B4
FGH50T65SQD-F155
FGH50T65SQD-F155
FGH75T65SHD-F155
FGH75T65SHD-F155
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MOC3041SR2M概述:
MOC303XM和MOC304XM器件由一个光耦合到单片硅探测器的AlGaAs红外发射二极管组成,该二极管具有零电压交叉双边三端双向可控硅驱动器的功能。
它们设计用于逻辑系统接口中的三端双向可控硅,用于由 115VAC 线路供电的设备,例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NB100LVEP221MNRG
M74VHC1GT126DF1G
MC100LVEP05MNTXG
FCH029N65S3-F155
NTTFS2D1N04HLTWG
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NCV8450ASTT3G简述:
该NCV8450是一款完全受保护的高侧智能分立器件,典型 RDSOn 为 1 Ω,内部电流限制为 0.8 A(典型值)。该器件可以切换各种电阻、电感和容性负载。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
ISL9V5045S3ST-F085C
NVMFS5C612NLWFAFT1G
FCPF250N65S3L1-F154
NVMFS5C410NWFAFT3G
FCH165N65S3R0-F155
NVMFS5C404NWFAFT1G
NB7NPQ1404E2MMUTWG
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CAT4104V-GT3简述:
CAT4104 提供四个匹配的低漏汲电流,可驱动串联的高亮度 LED,每个沟道可高达 175 mA。LED 沟道电流通过联接 RSET 引脚的外部电阻器进行设置。LED 引脚可兼容高 25 V 的高电压,支持带有多个 LED 串联的应用。EN/PWM 逻辑输入支持器件启用和高频外部脉宽调制 (PWM) 调光控制。该器件结合了高温关断保护,可在片温度超过 150°C 时禁用 LED 输出。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
AR0230CSSC12SUEA0-DR
AR1820HSSC00SHEA0-DR
AR0237CSSC12SPRA0-DR
AR0237CSSC12SHRA0-DR
FCPF250N65S3R0L-F154
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ON/安森美全系列产品优势供货,提供产品有:
无线连接
低功耗蓝牙
分立器件和功率模块
MOSFET系列
电源模块
碳化硅(SiC)
所有其他
电源管理
信号调理与控制
传感器
电机控制
定制和特殊替代产品供应商
接口
时序、逻辑和存储器
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NCH-RSL15-512-101Q40-ACG
NCH-RSL15-284-101Q40-ACG
LC70310KBG-UMC-TLM-H-ON
AR0135CS2C00SUEA0-DPBR1
AR0135CS2C00SUEA0-DRBR
AR0135CS2C00SUEA0-DPBR
ASX340CS2C00SPED0-DRBR
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