氰系镀液过去的主要缺点是使用的电流密度小，现在这个问题也解决了，镀银使电流密度可高达10A/dm，光亮镀银可达1．5～3A/dm，其镀面光滑而无需再打光，也可镀厚。近
年来快速发展起来的电子元器件的高速选择性镀银，如引线框架的选择性镀银，采用喷射镀的方法。所用的电流密度高达300～3000A/dm，镀液中氰化银钾[KAg(CN)2]的浓度 也高达40～75g/L，阳极采用白金或镀铂的钛阳极，这样在1s内即可镀上约4～5μm的银层，它已能满足硅芯片和银焊垫之间用铝线来键合(Bonding)。
1939年，Weiner发现从硫代硫酸钠镀液中可以获得光亮的镀银层，证明硫代硫酸钠本身就是一种优良的光亮剂。 1943年，Weiner发现提出可用硒化物代替硫化物作为镀银的光亮剂。例如亚硒酸盐同蛋白质和脂肪酸的缩合物以及很多二价硒化物同少量铝和锑化物合用都是有效的光亮剂。 同年，德国的Siemens Halske在德国专利731，961中提出用黄原酸盐类作镀银光亮剂。后来，Durrwachter发现甲醛和蛋白胨可做乳酸镀银的光亮剂。
美、法、瑞士专利中都提出用二硫化碳和酮类的缩合产物作为氰系镀银的光亮剂。 1956年，美国专利中提出用乙二醇和丙三醇锑作氰系镀银光亮剂。 1957年，德国专利959，775中用硫代氨基甲酸盐缩合物作为氰系镀银光亮剂。
用化学方法在基体材料上制备的以银为主体的贵金属镀层。电子工业、仪器仪表制造业及无线电产品的零部件都广泛采用镀银以降低金属表面的接触电阻、提高金属的焊接能力。
镀金回收含金硅质电子废件处：电子工业产品和设备中废弃的含金硅质元件，由于硅的存在而妨碍回收其中的金。为了采用湿法工艺回收金，可先经硅腐蚀剂处理，使烧结在硅片上的金脱落分离，再收集起来送提纯。硅腐蚀剂分酸性的和碱性的。酸性硅腐蚀剂按硝酸：氢氟酸为1∶6～9配制，再稀释至2～3倍，于室温下浸泡除硅。碱性硅腐蚀剂使用10%～30%NaOH液，加热至80～100℃浸煮元件除硅。