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氮化硅陶瓷球钻孔

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氮化硅陶瓷制品<br>

陶瓷的断裂韧性其作用机理主要是把具有高弹性和高强度的纤维或晶须添加到材料中后,使裂纹扩展的剩余能量渗入到纤维或晶须中,发生纤维或晶须的拔出、脱粘和断裂,导致断裂能被消耗或裂纹扩展方向发生偏转等,从而形成了复合材料断裂时新的吸能机制,使复合材料的韧性大大提高<br>

氮化硅(Si3N4)存在有3种结晶结构,分别是α、β和γ三相,α和β两相是Si3N4常出现的型式,且可以在常压下制备,γ相只有在高压及高温下,才能合成得到,它的硬度可达到35GPa
氮化硅在 600℃以上能使过渡金属(见过渡元素)氧化物、氧化铅、氧化锌和二氧化锡等还原,并放出氧化氮和二氧化氮<br>
比热容为0.71J/(g·K),生成热为-751.57kJ/mol<br>
氮化硅陶瓷表面经抛光后,有金属光泽<br>

材料的抗热震性能主要指材料承受一定程度的温度急剧变化而结构不致被破坏的能力,又称抗热冲击性 [1] 影响材料抗热震性能的主要因素有:材料 的热膨胀系数、 导热系数、弹性模量、材料固有强度、断裂韧性等<br>

氮化硅熔点1900℃<br>
比体积电阻,20℃时为1.4×105 ·m,500℃时为4×108 ·m氮化硅陶瓷可做高温绝缘材料,其性能指标的优劣主要取决于合成方式与纯度,材料内未被氮化的游离硅,在制备中带入的碱金属、碱土金属、铁、钛、镍等杂志,均可恶化氮化硅陶瓷的电性能,一般氮化硅陶瓷在室温下、在干燥介质中的比电阻为1015~1016欧姆,介电常数是9.4~9.5,在高温下,氮化硅陶瓷仍保持较高的比电阻值,随着工艺条件的提高,氮化硅可以进入常用电介质行列<br>
弹性模量为28420~46060MPa<br>
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