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单晶炉热场的设计与仿真单晶直径在生长过程中可受到温度，提拉速度与转速，坩埚跟踪速度与转速，保护气体的流速等因素的影响。其中温度主要决定能否成晶，而速度将直接影响到晶体的内在质量，而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知。温度分布合适的热场，不仅单晶生长顺利，而且品质较高；如果热场的温度分布不是很合理,生长单晶的过程中容易产生各种缺陷,影响质量，情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，单晶硅生长炉原理简介单晶硅生长炉的特点\单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的制造设备。主要由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。1、主机部分：机架，双立柱\双层水冷式结构炉体\水冷式阀座\晶体提升及旋转机构\坩埚提升及旋转机构\系统\真空系统及自动炉压检测控制\水冷系统及多种安全保障装置\留有二次加料口2、加热器电源：全水冷电源装置采用专利电源或原装进口IG及超快恢复二极管等功率器件。配以高频变压器，构成新一代高频开关电源。采用移相全桥软开关（ZVS）及CPU控制技术，提高了电能转换效率，不需要功率因数补偿装置。3、计算机控制系统：采用PLC和上位工业平板电脑PC机，配备大屏幕触摸式HMI人机界面、高像素CCD测径 ADC系统和具有知识产权的“全自动Cz法晶体生长SCADA监控系统”，可实现从抽真空—检漏—炉压控制—熔料—稳定—溶接—引晶—放肩—转肩—等径—收尾—停炉全过程自动控制。