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市场传出,美光近日已告知通路商,DRAM及NAND Flash将从5月起不再接受更格,换言之,现阶段价格已经是低行情,可望带动现货价从第2季回稳,然而下游市场的实质需求能否支撑仍有待考验。

DRAM三大厂正在进行减产,预期2023年三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)晶圆投入量年减上看25%,有望加速DRAM市场正常化。随着业者逐步恢复议价能力,2024年起市场供过于求局面,可望获得缓解。

DRAM市场约从2012年起,形成三星、SK海力士与美光三大业者的寡占局面,并且已持续10余年,DRAM业者其实经历了一段繁荣期。南韩业界多认为,随着DRAM三大厂相继减产,市场供需将逐渐恢复平衡,随着人工智能(AI)、自驾领域的需求激增,快将从2024年起,DRAM有望开始迎接下个黄金10年。

名称存储芯片,KMFN60012B-B214,KMFE60012A-B214,KMQE60013B-B318,KMQX60013A-B419,KMGX6001BA-B514,KM4D6001KM-B217,KM4X60002M-B321,KMDP6001DB-B425,KMDV6001DB-B625,KM3V6001CB-B708,KM5P9001DM-B424,KM2P9001CM-B518,KM2
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地区全国
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关键词三星存储芯片,三星存储,存储芯片

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