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高速sram存储器CY7C1061GE-10BV1XI

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高速sram存储器 CY7C1061GE-10BV1XI
SRAM存储器主要有一下特点:
1. 存储容量: 存储单元个数M×每单元位数N
2. 存取时间:从启动读(写)操作到操作完成的时间
3. 存取周期:两次立的存储器操作所需间隔的小时间
4. 平均故障间隔时间MTBF(可靠性)
5. 功耗:动态功耗、静态功耗
深圳英尚微电子有限公司
英尚国际有限公司
Ramsun International Limited
Fay(蔡小姐)
Tel:+86-755-66658299 Ext:870
M/P:+86-
Q
Skype:ramsun02@
E_mail:ramsun02@

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深圳市英尚微电子有限公司
主营:sram,mram,flash芯片,sdram
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