ALWAYSTONE纳米烧结银,上海黄浦低温无压纳米烧结银

AS9331的优点总给如下：
低温无压：银烧结技术是把材料加热到低于它的熔点温度，然后材料中的银颗粒聚集结合，并实现颗粒之间的结合强度。传统银烧结采用对材料或设备加压、加热直至形成金属接点的方法。然而，在半导体封装领域，这种加压技术的应用必然会碰到芯片破损或者产能不足的问题，因为客户在资本密集型的芯片粘接设备上单个自地生产。

性能可靠：高UPH是AlwayStone AS9331的主要优势，该材料的导热性和可靠性也非常理想。与现有高功率器件的选择-有铅软焊料相比，AlwayStone AS9331在功率循环可靠性测试中的表现优势非常大：有铅软焊料只能耐200次循环，而善仁新材的银烧结技术在循环2,000多次之后才出现部分失效。

研发部分为研发一部，研发二部，研发三部。其中研发一部以纳米银为主要研发方向；研发二部以低温导电银浆，导电胶为主要研发方向；研发三部以厚膜浆料为主要研发方向。目前正在申请博士后科研工作站。公司与“常春藤”名校康奈尔大学，北京大学，维兹曼研究所，俄亥俄州立大学，复旦大学，上海交大，东华大学，东京大学，横滨国立大学，国家纳米工程中心等多个科研单位和高等院校建立产学研合作关系。致力于提供环保、、高性价比的导电材料，导热材料，导磁材料解决方案。

为了验证此策略，使用1200V/400A车用SiC功率模块的低应力封装工艺，此器件的烧结面积4.4 mm×4.0 mm，钼片厚度为1.5 mm，氧化铝衬底基板的厚度为1.2 mm。 两侧基板均采用AS9330低温无压银烧结技术以实现器件和钼片的互连，烧结后形成器件-基板组件和钼片-基板组件结构连接，烧结后两组组件的连接使用传统的高温焊料 Pb92.5Sn5Ag2.5。

以上连接工艺均在传统真空回流炉中完成。相比传统Si基功率封装模块，这种采用AS9330银烧结的SiC功率模块的热阻降低了40%，体积减小50%。由于烧结过程大面积基板的翘曲问题，SiC 基器件的源区焊接面并没有使用银烧结，考虑到器件源区连接界面接近SiC器件的结温，该界面处可能更容易发生失效，所以采用对低压辅助烧结或借助适当治具有助于增加该界面的稳定性，进而实现一次全银烧结。

二 双面冷却 SiC 功率模块的制造工艺
1印刷银焊膏
2贴片
3烧结银焊膏
4引线键合
5端子焊接
6放置焊片
7真空回流焊接
8塑封