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联芯新的一篇新闻稿显示，去年12月份“中芯国际28纳米高介电常数金属闸极(HKMG)制程已成功流片，基于此平台，联芯科技推出适用于智能手机等领域的28纳米SoC芯片，包括应用处理器和移动基带功能，目前已通过验证，准备进入量产阶段。”

回归基本面来看。半导体之所以为高科技是因为有摩尔定律，容许其不断的制程微缩，而其经济效益也高度依赖摩尔定律。DRAM 在很长的一段时间里是半导体业的驱策技术(driving technology)，也就是说DRAM的制程领导其它的半导体制程前进。
虽说28nm手机处理器是别的厂商早就玩剩下的，不过目前芯片行业谋求的不仅仅是手机这一块老腊肉领域，物联网、汽车电子、人工智能都是们争相去啃食的大饼。正如钱国良所说：
“2017年，联芯科技将聚焦在以智能终端手机、行业市场、物联网市场为主的三大领域及相关市场，同时依托于大唐电信集团的优势资源，将芯片设计和晶圆制造结合，形成虚拟IDM业务模式。

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所以大陆选择3D NAND重新出发，3D的制程技术还有机会应用到其它产品，譬如3D MRAM。至于研发的规模经济，由其所投资相应的生产规模来看，如果有盈余的话，是有机会支撑持续的自主研发的。

在国家信息安全战略的支撑下，在产业协同和整个产业链的支持下，我们希望通过产业发展和资本运作双轮驱动方式快速缩短和国外芯片公司的差距，推出性产品，服务“互联网+中国制造”国家战略，成为的移动互联网芯片和解决方案提供商。”
联芯前面有几座大山，但在中国芯崛起道路上也不是并无机会，能否在未来芯片领域有一席地位?光靠“低调”真的是远远不够的。

长江存储成立后，大陆在这个阶段于半导体的宏观布局重新成形。但是为什么挑由存储器入手?这是个关键选择。尤其是在台湾的 DRAM 产业甫因规模经济不足导致研发无法完全自主而缓缓淡出之际，这样的选择需要一番辩证。进口替代当然是原因之一，但不是全部。
半导体的者AT&T、Intel都曾投入这产业，日本90年代的半导体霸业、台湾、韩国的半导体产业崛起，都与DRAM息息相关。如果不健忘的话，台湾的DUV、CMP、12寸厂等技术都是由DRAM厂率先引入。

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在2000年初后，逻辑与NAND的制程进展相继DRAM，DRAM失去了其驱策技术的地位。逻辑制程持续往平面微缩的方向前进，能见度到3nm，还有3、4个世代可行;NAND往3D堆叠走，这个方向能走多远尚未可知，但是短时间内碰不到物理极限，是比较技术面可克服的问题。手机ic回收：http://jonywang.51sole.com/ 电池回收：http://dianchihuishou.xunshou.com/ 回收ic：http://.xunshou.com/ 电子回收：http://huishouic.xunshou.com/ 电池回收http://dianchihuishou.51sole.com/ 内存条回收http://guiqinwang.51sole.com/。逻辑的平面制程微缩与NAND的3D堆叠同时是未来半导体业的驱策技术，大陆作为后发者选择近才兴起、后面发展道路长的驱策技术投入，是比较合理的做法。至于DRAM，已于20nm久滞，虽然仍有机会继续缓慢推进到10nm，但其制程技术主要是针对DRAM，很难嘉惠于其它产品，战略性比较不足。

剩下来的问题是NAND的技术灵不灵?大陆NAND的技术授权引入研发已有好几年了，以前的表现颇有波折，就连二维平面NAND的生产也称不上顺利。现在要当成主要的产品并结合3D制程，恐是个有点高风险的选择!

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