FDW2508P和BLF7G27LS-140和IRFR3910晶体管

深圳市明佳达电子公司现货供应 FDW2508P 和 BLF7G27LS-140 和 IRFR3910 晶体管 大量全新原装 价格优势 质量 有意者欢迎致电咨询


FDW2508P ：
FET 类型 2 个 P 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 18 毫欧 @ 6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 36nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 2644pF @ 6V
功率 - 大值 1W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装 8-TSSOP



BLF7G27LS-140 ：
晶体管类型 LDMOS
频率 2.5GHz ~ 2.7GHz
增益 16.5dB
电压 - 测试 28V
额定电流 28A
噪声系数 -
电流 - 测试 1.3A
功率 - 输出 30W
电压 - 额定 65V
封装/外壳 SOT-502B
供应商器件封装 SOT502B


IRFR3910 ：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 44nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 640pF @ 25V
Vgs（大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 79W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 115 毫欧 @ 10A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63


公司还长期供应以下型号：
XC6201P502MR
XC6204B302MR
RTL8211E
OV7675
SMA661
TDA8946AJ
6EP1437-3BA10
MSM-8974
H5PS5162FFR-G7C
FDW2508P
BLF7G27LS-140
IRFR3910
HMC902LP3ETR
AD8221ARZ
R5F21244SNFP
MSP430G2553IN20
AT91SAM9G25-CU
W78E058DDG
A3283
KXTJ2-1009
MPU-9250
TMP421AIDCNR
TLE4266G


以上型号均为明佳达长期现货供应产品 网上标价持有不确定性 请联系本公司查询正确的价格！！！