陶瓷片ALN陶瓷基片氮化铝陶瓷片氮化铝基板绝缘片氮化铝陶瓷片

ALN陶瓷基片：
AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)X10(-6)/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有的耐侵蚀性。
产品特点：

◆热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上;

◆热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配;

◆各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良;

◆机械性能好，抗折强度Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结;

◆光传输特性好;

◆;
应用领域：

氮化铝陶瓷片(也叫薄膜金属化基板)广泛应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、MCM等领域。包括光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、片式功率分配器、传感器、叉指电容和螺旋电感等。
TEL:

公司官网：

公司地址：珠海市斗门区新沙工业区1路北4号