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半导体级直拉法的工艺控制\进入21世纪以来,随着新兴产业的科技创新,半导体行业得到了的发展。半导体产业发展迅猛,尤其近几年,大力发展半导体产业,缩短该行业与世界水平的差距。目前虽然有许多新兴材料来替代硅材料,但未来几年可以预见,硅材料由于其成熟的技术品质和稳定的物理化学性质,将会在相当长的一段时间里是主流材料。硅单晶作为主要材料,应用的领域也是相当广泛的。硅单晶是由多晶硅原料经过物理变化,让硅原子按照人为设定的方向进行生长,终形成的。一般会采用直拉法进行制备。晶圆的直径越大,集成电路制造的成本将会越低,因此要求作为材料的硅单晶的直径也要相应的增大。这里面涉及到了一系列问题。这篇论文主要讨论的是通过对热场的设计,工艺的过程控制,减少位错的产生,以及通过化学腐蚀对位错进行检测的相关问题。 分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，采用了上述技术方案后，本发明具有以下有益效果：、取出晶棒后，将硅料加入加料坩埚，盖上外部加料器的上盖，将外部加料器真空抽到合适压力值时打开旋阀，硅料落入外部化料器中并在外部化料器中被熔化，熔化后的硅料流入主炉室坩埚，当外部化料器中的硅料加完后，再关闭旋阀，把外部加料器充常压，打开外部加料器的上盖继续加料，如此循环，进而完成外部加料、化料，本发明可实现连续拉晶，选用合适的主炉室坩埚可以实现连续拉制五六根晶棒，可大幅减少冷却、拆炉、装炉的时间，进而提高生产效率；、