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GB/T13539.1——2002 《低压熔断器基本要求》
GB/T13539.4——2005 《低压熔断器基本要求》

银丝熔断器使用要求和建议
5.1 直接焊接在 PCB 上；一般情况下取不大于 90%额定电流较为适宜；银丝距 PCB
板小距离,纯银产品不小于 5mm；铜镀银产品不小于 7mm;
5.2 中间部分引线长度不可小于 12mm;
5.2 焊接参数

出厂检验要求
6.1 外观：
整体无污渍, 银线无扭曲变形.
6.2 尺寸：按照图纸进行检验。
6.3 标志：电压、额定电流、批次号、厂标，标明于包装袋上；

电子工程师使用保险丝保护电路免受过流的损害的历史已经超过100年了。而现在，尽管出现了更便宜的电路断路器，保险丝仍然被广泛应用。

我们说“超过一”是因为很难追溯到使用保险丝的准确时间。在“电保险丝”一书中，A Wright和PG Newbery认为保险丝次使用是在1864年。该信息出现在1887年WH Preece给电报工程师协会（Society of Telegraph Engineers）的信中。信中称自1864年开始保险丝被用于保护海底电缆。

这些早期的保险丝就是一些铂导线，到过流达到一定程度时就会熔断。在随后的几十年中，人们对这个基本的设计进行了改进。在1879年，SP Thompson教授设计了一种保险丝，这种保险丝包含一个铅球或锡球并通过一对铁导线支持。这个球将在导线熔断前熔化并落下。相对于单采用保险丝的方式，这种方式更加可靠并且可预测性更好。

另一种快速断开的方法采用焊接在一起的金属箔弹簧。
近年来，保险丝技术的发展很快，并且通过计算机分析熔断部件过程中的现象为保险丝的性能提供了革命性的进步。保险丝行为的计算机仿真正帮助保险丝设计者更好地理解在保险丝工作中发生的一些现象，这些现象原来是非常神秘的过程。

一个更具革命性的改变是由厚薄薄膜技术引入的。款金属薄膜保险丝是于1985年引入的。

芯片保险丝于1995年正式面市。并且，新材料在保险丝和电路断路器的更新换代中也起到了重要作用。ABB公司的研究人员开发了一种半导体聚合物。当被做成薄片并置于两电极之间时，这种聚合物可导电。但当电流迅速升高时，薄片与铜电极接合处升温至110℃，此时靠近聚合物表面的粒子分离，使电阻迅速升高。
熔断器的动作是靠熔体的熔断来实现的，熔断器有个非常明显的特性，就是安秒特性。
熔断器（图6）
熔断器（图6）
对熔体来说，其动作电流和动作时间特性即熔断器的安秒特性，也叫反时延特性，即：过载电流小时，熔断时间长；过载电流大时，熔断时间短。