UCC23313DWYR，TI原装集成电路

TI德州仪器电池管理 IC电池保护器
部分型号主要参数特性：
BQ294534 适用于 2 节和 3 节锂离子电池的 4.55V 过压保护 (OVP) 器件
BQ77207 3 系列至 7 系列锂离子电池、内部延迟计时器、电压和温度保护器
BQ2982 禁用 0V 充电功能且适用于单节锂离子和锂聚合物电池的高侧保护器
BQ77216 具有内部延迟计时器、适用于 3 节至 16 节串联锂离子电池的电压和温度保护器
BQ77915 具有电池自主平衡功能的 3 节至 5 节串联可堆叠低功耗初级保护器
BQ294506 适用于 2 到 3 节锂离子电池、具有 4.38V OVP 的过压保护器件
BQ2980 适用于单节锂离子和锂聚合物电池的高侧保护器
BQ294533 适用于 2 节和 3 节锂离子电池的过压保护
BQ77904 3-4S 低功耗保护器
BQ2962 适用于 2 节、3 节和 4 节串联锂离子电池的过压保护
BQ77905 3 至 5 节串联锂离子和锂磷酸盐低功耗堆叠式电池保护器

TI德州仪器MOSFET常用型号大量现货，详情请咨询。
CSD17556Q5B
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17556Q5B 的特性：
极低电阻
低 Qg 和 Qgd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
SON 5mm × 6mm 塑料封装
以下MOSFET部分型号：
CSD93501-Q1 CSD88599Q5DC
CSD95420RCB CSD87313DMS
CSD95410RRB CSD18510Q5B
CSD96497Q5MC CSD18510KCS
CSD95485RWJ CSD95482RWJ
CSD86356Q5D CSD18512Q5B
CSD86336Q3D CSD18543Q3A
CSD25501F3 CSD95495QVM
CSD18511KCS CSD18510KTT
CSD18511KTT CSD18511Q5A
CSD87503Q3E CSD18513Q5A
CSD17318Q2 CSD18514Q5A
CSD22205L CSD95490Q5MC
CSD22206W CSD95491Q5MC
CSD88584Q5DC CSD13380F3
CSD17585F5 CSD13385F5

TLIN2029DRQ1
具有显性状态超时故障保护功能的本地互连网络 (LIN) 收发器
休眠模式：低电流消耗支持以下类型的唤醒事件：
LIN 总线
通过 EN 引脚进行的本地唤醒
上电和断电无干扰运行
保护特性：
VSUP 欠压保护
TXD 显性超时 (DTO) 保护
热关断保护
系统级未供电节点或接地断开失效防护。
采用 SOIC (8) 和无引线 VSON (8) 封装，提高了自动光学检测 (AOI) 能力