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为了避免下驱动装置4受到外界震动的影响，进而保下驱动装置4的工作精度，所述底座1和下驱动装置4之间设置有减震装置，所述下驱动装置4的底端设置有承载板41，所述承载板41通过少两个螺钉16固定连接在底座1上，所诉减震装置包括与螺钉16分别一一对应的下减震橡胶垫171和上减震橡胶垫181，所述下减震橡胶垫171套装在螺钉16的下端部，所述下减震橡胶垫171的底部和底座1抵接，所述下减震橡胶垫171的顶部和承载板41抵接，以便于通过下橡胶减震171垫吸收从外界传来的震动，以避免下驱动装置4受到外界震动的影响，所述上减震橡胶垫172套装在螺钉16的上端部，且所述上减震橡胶垫172与承载板41的上端面压接，以避免螺钉16的震动影响到承载板41。蓝宝石长晶炉回收，多晶硅铸锭炉回收，提拉式长晶炉回收，多晶长晶炉回收，卧式长晶炉回收，拉式单晶炉、收购直拉式单晶炉-85型/90型/95型/100型种种整套单晶回收提炉装备、分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，设计与仿真编辑在直拉法生长硅单晶的过程中，硅单晶生长的成功与否以及质量的高低是由热场的温度分布决定的。温度分布合适的热场，不仅硅单晶生长顺利,而且品质较高；如果热场的温度分布不是很合理，生长硅单晶的过程中容易产生各种缺陷，影响质量，情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。因此在投资硅单晶生长企业的前期，一定要根据生长设备，配置出合理的热场,从而保生产出来的硅单晶的品质。在直拉硅单晶生长工艺中,一般采用温度梯度来描述热场的温度分布情况，其中在固液界面处的温度梯度为关键。数值模拟是在一个低成本的情况下,利用电脑计算提供的详尽资料，用以支持真正的（且昂贵）实验。

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半导体级直拉法的工艺控制\进入21世纪以来,随着新兴产业的科技创新,半导体行业得到了的发展。半导体产业发展迅猛,尤其近几年,大力发展半导体产业,缩短该行业与世界水平的差距。目前虽然有许多新兴材料来替代硅材料,但未来几年可以预见,硅材料由于其成熟的技术品质和稳定的物理化学性质,将会在相当长的一段时间里是主流材料。硅单晶作为主要材料,应用的领域也是相当广泛的。硅单晶是由多晶硅原料经过物理变化,让硅原子按照人为设定的方向进行生长,终形成的。一般会采用直拉法进行制备。晶圆的直径越大,集成电路制造的成本将会越低,因此要求作为材料的硅单晶的直径也要相应的增大。这里面涉及到了一系列问题。这篇论文主要讨论的是通过对热场的设计,工艺的过程控制,减少位错的产生,以及通过化学腐蚀对位错进行检测的相关问题。