山东晶圆导片器硅片倒片器

晶圆倒片机是用来调整集成电路产线上晶圆生产材料序列位置的一款设备，它的任务是将产线上的晶圆通过制程需要进行分批、合并、翻转后进行下一道程序，这就要求晶圆倒片机拥有的传送效率和洁净程度。

晶圆是半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆的原始材料是硅，而硅是由石英砂所精练出来的，晶圆便是由硅元素加以纯化（可达到99.999%），接着将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，之后经过照相制版，研磨，抛光，切片等一系列程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。硅晶圆的制造可被归纳为三个基本步骤，分别是硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。目前晶圆制造过程涉及的材料有硅片、掩膜版、电子气体、光刻胶配套试剂、CMP材料、工业化学品、光刻胶、靶材等等，其中硅片在各材料占比为31%，是晶圆的重要组成部分

边缘式校准器包括设置在校准区内的校准座、定位单元、及校准单元，其中定位单元包括能够上下升降的定位组件和能够沿着晶圆径向同时收拢或张开的夹持组件，其中定位组件形成有自上而下口径逐渐变小的晶圆定位区；夹持组件包括绕着晶圆定位区的中心分布的多根夹臂、用于驱动多根夹臂同步运动的驱动件，其中每根夹臂上形成有与晶圆边缘点或线接触的夹槽；校准单元包括能够对晶圆的边缘进行校准的校准组件、以及驱动组件。

校准区截面呈方形，晶圆上料装置和晶圆收料装置对应设置在方形的相邻两侧边，晶圆取放装置对应设置在晶圆上料装置和边缘式校准器之间，且自动导片机还包括位于校准区的负离子发生器。这样设置，结构紧凑，设备运行，同时，负离子发生器可产生大量带有正负电荷的气流，可以将晶圆检测区内的物体表面所带电荷中和。

晶圆划片是半导体芯片制造工艺流程中的一道的工序，在晶圆制造中属于后道工序。将做好芯片的整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片（晶粒），称为晶圆划片。Si、SiC、Sapphire、Inp等材料被广泛应用于半导体晶圆的衬底材料。随着晶圆集成度大规模提高，晶圆趋向于轻薄化，传统的很多加工方式已不再适合。于是部分工序引入了激光切割技术。

晶圆的集成电路制造，为了降低器件热阻、提高工作散热及冷却能力、便于封装，在硅晶圆正面制作完集成电路后，需要进行背面减薄。晶圆的背面研磨工艺，是在晶圆的正面贴一层膜保护已经制作好的集成电路，然后通过研磨机来进行减薄。晶圆背面研磨减薄后，表面会形成一层损伤层，且翘曲度高，容易破片。为了解决这些问题，需要对晶圆背面进行湿法硅腐蚀，去除损伤层，释放晶圆应力，减小翘曲度及使表面粗糙化。使用槽式的湿法机台腐蚀时，晶圆正面及背面均与腐蚀液接触，正面贴的膜耐腐蚀，从而保护正面的集成电路。使用单片作业的湿法机台，晶圆的正面通常已被机台保护起来，不会与腐蚀液或者腐蚀性的气体有接触，可以撕膜后再进行腐蚀。

硅晶圆切片工艺是在“后端”装配工艺中的步。在芯片的分割期间，刀片碾碎基础材料(晶圆)，同时去掉所产生的碎片。材料的去掉沿着晶方(dice)的有源区域之间的切割线(迹道)发生的。冷却剂(通常是去离子水)指到切割缝内，改善切割品质，和通过帮助去掉碎片而延长刀片寿命。每条迹道(street)的宽度(切口)与刀片的厚度成比例。
现有晶圆隔道通常采用裂片刀沿着切割线进行切开,使得容易造成芯片隔道交错区域边缘崩裂的同时产生的碎屑不好排出,并且现有的晶圆在裂片时,由于受到不同方向的力进行裂片,裂片效率较低,同时容易让芯片发生位移,从而产生划痕造成损伤。
晶圆测试是对晶片上的每个晶粒进行针测，在检测头装上以金线制成细如毛发之探针，与晶粒上的接点接触，测试其电气特性，不合格的晶粒会被标上记号，而后当晶片依晶粒为单位切割成立的晶粒时，标有记号的不合格晶粒会被淘汰，不再进行下一个制程，以免徒增制造成本。