太原定制半导体器件低温烧结银,烧结银膏

大功率LED的功率可以达到数十瓦，工作电流可以是几十毫安到几千毫安不等。大功率LED光源作为第四代电光源，有“绿色照明光源”之称，具有体积小、安全低电压、耗电小、发热小、寿命长、电光转换、方向性好、响应速度快、节能、环保等优良特性，必将取代传统的白炽灯、卤钨灯和荧光灯而成为21世纪的新一代光源。

在如上所述的电子零器件的小型化、高功能化的进展中，半导体元件的发热量具有增大的倾向。然而，若电子零器件长时间暴露在高温环境下，则寿命急剧减少。因此，对于芯片粘接材料散热的要求越来越高。

烧结中期是从孔洞（pores）达到平衡形态（equilibrium shapes）开始的，这一阶段主要是致密化，与终产物密度的相关性达到97%，因此是烧结过程的主要阶段。

善仁新材开发的烧结银技术被定位为继焊料之后的次世代接合技术，由于比焊料更能耐受高温，具有的散热性，可望适用于电动车(EV)、碳化硅(SiC)功率半导体等用途。但相对于焊料在回焊(Reflow)时可快速接合，很多国外的烧结银则须利用装置进行加压制程，因此有生产效率的问题，且加压装置会增加投资成本。

善仁新材开发的AS9375功率器件烧结银胶能适用于无加压的低温烧结，具有使用上的便利性。且即使是在无加压的氮气氛围下进行烧结，亦能发挥的接合强度与导电率。

烧结银AS9375在氮气氛围下230-250℃、1小时的剪切强度为20 MPa以上，空气条件下230-250℃、1小时的剪切强度则为45 MPa以上，而在空气条件下200℃、1小时的接合强度是40 MPa以上。