SN65HVS882PWPR，TI原装集成电路

TPA5052RSAR
具有硬件控制的立体声数字音频延迟处理器
TPA5052 的特性
Digital Audio Format: 16–24–bit I2S
Single Serial Input Port
Delay Time: 170 ms/ch at fs = 48 kHz
Delay Resolution: 256 samples
Delay Memory Cleared on Power–Up or After Delay Changes
Eliminates Erroneous Data From Being Output
TI德州仪器其他部分型号：
TPS79318DBVRG4Q1 TPS6285020MQDRLRQ1
SN74HCT165QPWRQ1 OPA4171AQPWRQ1
CDCE813QPWRQ1 LM3481QMMX/NOPB
LMK61A2-100M00SIAR TPS72501DCQ
TLV9154QPWRQ1 TPS78410QWDRBRQ1
OPA1642AIDGKT SN6507DGQR
TS3A225ERTER INA213BIDCKT
DRV5032DUDMRT LM4040C30QDBZR
INA250A4PW TLV2170IDR
ISO15MDW UCC27211DR

SN74HC595PWR
具有三态输出寄存器的 8 位移位寄存器
TI德州仪器逻辑 IC产品其他部分型号：
SN74HCT541DWR SN74HCS574QPWRQ1
SN74HCS264QDRQ1 SN74HC138DR
SN74HC365DR SN74HC21DR
SN74HCS08QDRQ1 SN74HC00PWR
SN74HCT08DR SN74HC08QDRQ1
SN74HC14DBR SN74HCT245DWR
SN74HCT00DR SN74HCS08PWR
SN74HCS08QDYYRQ1 SN74HC00DR
SN74HC164DR SN74HC74DR
SN74HC573NSR SN74HCS7266PWR
SN74HCS09QDRQ1 SN74HC04PWR
SN74HC14DR SN74HC393NSR
更多产品型号请联系咨询

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET