泉州定制PTFE花篮PTFE单片花篮

耐高温、耐腐蚀，具有优良的电绝缘性、耐老化，吸水性小、自润滑性能，是一种适用于各种介质的通用型润滑性粉末，可快速涂抹形成干膜，以用作石墨、钼和其他无机润滑剂的代用品。适用于热塑性和热固性聚合物的脱模剂，承载能力优良。在弹性体和橡胶工业以及防腐中广泛使用。

优点
1.外观纯白色。

2.耐高低温性：可使用温度-200℃～＋250℃。

3.耐腐蚀：耐强酸、强碱、王水和各种有机溶剂，且无溶出、吸附和析出现象。

4.防污染：金属元素空白值低。

5.绝缘性：不受环境及频率的影响，介质损耗小，击穿电压高。

6.耐大气老化，耐辐照和较低的渗透性。

7.自润滑性：具有塑料中小的摩擦系数。

8.表面不粘性：是一种表面能小的固体材料。

用途：用于半导体硅片,晶片,玻璃,液晶屏等清洗、腐蚀设备的承载花篮，太阳能电池片花蓝、太阳能硅片花蓝_太阳能硅片承载器、光伏电池片花蓝、光伏硅片花蓝，用于太阳能电池硅片清洗设备中,用于承载方形太阳能电池硅片。

晶圆单片清洗花篮,包括调节杆和托盘,调节杆包括圆柱杆和第二圆柱杆,第二圆柱杆和托盘固定连接,托盘底部设有通孔,托盘边缘设有环形凸起,环形凸起上设有若干个缺口,托盘上设有台阶，且台阶位于环形凸起上的一个缺口上,托盘上圆周分布有三个挡板,挡板下端固定连接有限位块，限位块下端固定连接有定位块，挡板滑动连接有滑动凹槽,限位凹槽上均匀的设有多个定位凹槽,定位凹槽的大小与定位块相匹配。

半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺（离子注入、扩散、外延生长及光刻）为基础逐渐发展起来，由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。

大直径晶片的清洗采用上述方法不好其清洗过程的完成，通常采用单晶片清洗法，其清洗过程是在室温下重复利用DI-O 3/DHF清洗液，臭氧化的DI水（DI-O3 ）产生氧化硅，稀释的HF蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化的要求采用较短的喷淋时间就可获得好的清洗效果，不会发生交叉污染。后冲洗不是采用DI水就是采用臭氧化DI水。为了避免水渍，采用浓缩大量氮气的异丙基乙醇（IPA）进行干燥处理。单晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更好的清洗效果，清洗过程中通过采用DI水及HF的再循环利用，降低化学品的消耗量，提高晶片成本效益。