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您在使用CAN或RS-485总线进行调试时,是否遇到过偶尔通信出错?或者接收不到数据?一直正常使用的总线,突然出现大范围的错误,或者节点损坏?您还在为这些问题不知所措,摸不着头脑吗?使用总线隔离,或许能轻易帮您解决问题。实际总线应用中,您是否遇到过以下问题:1.设备及人身安全——潜在的高压危险CAN、RS-485总线的使用环境非常复杂,一些恶劣的使用场合会存在高压。极容易产生触电危险,危及人身或设备安全。它的传感器一般是连接到管道中,其直径与管道直径一致,因而测量时不会干扰或限制介质的流动。由于传感器不是直接浸没在液体中,没有活动部件,因此不存在磨损问题。电磁方法测量的是体积流量,这意味着测量对流体密度、温度、压力和粘度等参数的变化不敏感。一旦用水标定电磁流量计,就可以使用它来测量其他类型的导电流体,无需进一步标定。这是其他类型流量计所不具备的一个重要优势。电磁流量计特别适合测量固液两相介质,泥浆等带悬浮泥土、固体颗粒、纤维或粘稠物的高导电率介质。在市场快速发展的当下,生产企业不断增多,食品类型也在不断增多,企业对于产品的生产质量与生产效率均提出了较高的要求。但是追求生产速度的同时往往会衍生出许多生产质量问题,或者是为了保障质量而无法保障生产效率。计量检测技术作为质量检测的技术方式,能够快速在生产期间找到质量的控制与影响环节,从而确保企业保障生产质量与生产效率。以食品监管部门为例,想要强化监督工作力度,需要妥善应用计量检测技术,估算食品检测资金的投入,并强化人员培训,优化检测质量成本以及工作效率,从而实现大面积、率、低成本的检测,为食品市场的经营秩序提供可靠支持。
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另一方面,在电源从额定负载到限流点负载范围内,电源又无法实现过流保护,将严重影响电源可靠性、寿命等。负载调整率和负载要求对单路输出电源,一般无负载要求。但当负载降低到额定负载10%以下,为降低电源空载或轻载功耗,会进入间歇工作模式,虽不影响其正常工作,但其纹波可能会增大并出现听觉噪声。选择电源模块时功率亦需考虑。如负载低于1W,却选择10W或更大功率的电源明显是不合适的。除此之外,对双路及更多路输出电源,通常要求每一路都带有至少10%额定负载。测试目的就是检查DUT的CAN_H与CAN_L的隐性/显性输出电压是否遵守ISO11898-2的定义。ISO11898-2输出电压标准,测试原理负载条件下,选择被测DUT的适应条件,如所示,Rtest为网络负载电阻,正常为60Ω,高负载时为45Ω。测量和差分电压等级和CANLCANH线电压:VCAN_H,VCAN_L,然后计算差分电压Vdiff和共模电压VCM。其中Vdiff和VCM的计算方法如下:如果测试结果符合表1所示,则通过测试。

检测能力简介:

理化计量校准检测,是通过物理、化学等分析仪器进行分析,确定物质成分、性能参数、微观宏观结构、仪器示值误差等等。

湖南长沙量天检测理化检测实验室,拥有各类理化计量30个/台,可开展酸度计、电导率仪、紫外可见分光光度计、阿贝折射仪、酶标分析仪、旋光仪、采样器、X射线荧光光谱仪、气相色谱仪、液相色谱仪、原子吸收分光光度计、发射光谱仪、黏度计、崩解时限仪、烟度计、水质分析仪、气体分析仪及石油产品检测设备等百余项检测能力,尽可能满足客户计量校准需求。
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卢湾第三方检测校准中心-全国下厂-校准十余年基于电学法的热瞬态测试技术1.测试方法:电学法寻找器件内部具有温度敏感特性的电学参数,通过测量该温度敏感参数(TSP)的变化来得到结温的变化。TSP的选择:一般选取器件内PN结的正向结电压。测试技术:热瞬态测试当器件的功率发生变化时,器件的结温会从一个热稳定状态变到另一个稳定状态,T3Ster将会记录结温瞬态变化过程(包括升温过程与降温过程)。一次测试,既可以得到稳态的结温热阻数据,也可以得到结温随着时间的瞬态变化曲线。
卢湾第三方检测校准中心-全国下厂-校准十余年此时可再将IT6412电源的显示模式由电表模式切换至波形显示模式,此时更可清楚看出电流实际的变化曲线,会是在1mA至15mA做变动,周期约是3ms。在波形模式下尚可借由时间长度的调整,更可看出电流波形的细部或是整体的曲线变化。时间轴为5ms/dvi可看出整体波形的变化时间轴为1ms/dvi可看出细部波形的变化IT64系列电池模拟器不管是在电表显示模式或是波形显示模式下,皆可使用IT6412的一键快速图形截取功能,只要插上USB,即可快速的将前面板的显示画面以图标的方式截取下来,以利后续文档报告的整理。
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卢湾第三方检测校准中心-全国下厂-校准十余年微分结构函数中,波峰与波谷的拐点就是两种结构的分界处,便于识别器件内部的各层结构。在结构函数的末端,其值趋向于一条垂直的渐近线,此时代表热流传导到了空气层,由于空气的体积无穷大,因此热容也就无穷大。从原点到这条渐近线之间的x值就是结区到空气环境的热阻,也就是稳态情况下的热阻。利用结构函数识别器件封装内部的“缺陷”:对比上面两个器件的剖面结构,固晶层可见明显差异。如下图,左边为正常产品,右边为固晶层有缺陷的产品。


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