FQB1P50TM，场效应管(MOSFET)ON进口原装供货

MM74HC08简述：
MXMM74HC08 AND门采用的硅栅CMOS技术，可实现与LS-TTL门相似的工作速度，并具有标准CMOS集成电路的低功耗。HC08 具有缓冲输出，提供高抗噪性，并能够驱动 10 个 LS-TTL 负载。74HC 逻辑系列在功能和引脚排列上与标准 74LS 逻辑系列兼容。所有输入均受到内部二极管箝位的保护，不会因静电放电而损坏至 V抄送和地面。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
FCH110N65F-F155
NVH4L060N090SC1
NTH4L070N120M3S
NTH4L045N065SC1
NTH4L014N120M3P
NTH4L060N090SC1
NTH4L022N120M3S
NVH4L045N065SC1
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FSUSB42MUX
FSUSB42是一款双向、低功耗、双端口、高速USB2.0开关。配置为双刀双掷开关 （DPDT） 开关，针对在两个高速 （480Mbps） 源或高速和全速 （12Mbps） 源之间切换进行了优化。该FSUSB42兼容 USB2.0 的要求，并具有极低的导通电容 （C上）为5.5pF。该器件的宽带宽（720MHz）超过了通过三次谐波所需的带宽，从而使信号具有小的边沿和相位失真。出色的通道间串扰也大限度地减少了干扰。该FSUSB42在开关 I/O 引脚上包含特殊电路，用于 V抄送电源断电（V抄送=0），允许器件承受过压条件。该器件旨在将电流消耗降至低，即使施加到 SEL 引脚的控制电压低于电源电压 （V抄送).此功能对于超便携应用（如手机）特别有价值，允许与基带处理器的通用 I/O 直接连接。其他应用包括便携式手机、PDA、数码相机、打印机和笔记本电脑中的开关和连接器共享。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NVH4L080N120SC1
NVH4L160N120SC1
NTH4L075N065SC1
NTH4L060N065SC1
NTH4L040N120M3S
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NTHL027N65S3HF功率场效应管， MOSFET， N沟道， SUPERFET III， FRFET， 650 V， 75 A， 27.4 mΩ， TO-247®®

功率场效应管， MOSFET， N沟道， SUPERFET III， FRFET， 650 V， 75 A， 27.4 mΩ， TO-247®®
SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体全新的高压超结 （SJ） MOSFET 系列，该系列采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。这种的技术旨在大限度地降低传导损耗，提供的开关性能，并承受极端的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适合各种小型化和更率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可以去除额外的组件并提高系统可靠性。
CAT811TTBI-GT3
CAT811 和 CAT812 是微处理器监控电路，用于监控数字系统中的电源。CAT811 和 CAT812 是 MAX811 和 MAX812 的直接替代产品，工作在工业温度范围内;两者都具有手动复位输入。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCV8177BMX330TCG
LP2950CDT-5.0RKG
MC100EL1648DTR2G
LM2575D2T-ADJR4G
LM2575D2T-ADJR4G
NCV891930MW01R2G
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NCP4318BLCDR2G：
NCP4318是一种混合模式，它使用瞬时漏极电压和先前死区时间信息，用于LLC谐振转换器的同步整流（SR）控制器，只需少的外部元件。自适应死区时间控制可补偿感应寄生电感电压，以大限度地提高SR MOSFET导通和效率。多级关断阈值控制和 SR 电流反转检测功能可防止快速负载瞬变期间的反转电流，并允许在整个负载范围内稳定地 SR 操作。此外，为了提高轻载效率，VGATE自适应地从10V降至6V/5V。ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
ISL9V5036P3-F085
AFGY160T65SPD-B4
FGH50T65SQD-F155
FGH50T65SQD-F155
FGH75T65SHD-F155
FGH75T65SHD-F155
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MOC3041SR2M概述：
MOC303XM和MOC304XM器件由一个光耦合到单片硅探测器的AlGaAs红外发射二极管组成，该二极管具有零电压交叉双边三端双向可控硅驱动器的功能。
它们设计用于逻辑系统接口中的三端双向可控硅，用于由 115VAC 线路供电的设备，例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NB100LVEP221MNRG
M74VHC1GT126DF1G
MC100LVEP05MNTXG
FCH029N65S3-F155
NTTFS2D1N04HLTWG
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NCV3063MNTXG
该降压-升压反相开关稳压器由内部温度补偿基准、比较器、带有源电流限制电路的受控占空比振荡器、驱动器和高电流输出开关组成。新功能包括内部热关断保护和逐周期电流限制。该系列设计用于降压（降压）和升压（升压）以及电压反相应用，只需少的外部元件。该NCV3063可用于汽车应用。ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NOIP1SE0480A-STI1
NCV8187AMLE330TCG
FFSH20120ADN-F155
FFSH20120ADN-F155
FFSH40120ADN-F155
FFSH15120ADN-F155
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NTMFS6H818NT1G单N沟道功率MOSFET，80V，123A，3.7mΩ
汽车功率MOSFET采用5x6mm扁平引线封装，专为紧凑、的设计而设计，并具有高热性能。
NUP4202W1T2G
NUP4202W1浪涌保护器设计用于保护高速数据线免受 ESD、EFT 和雷击的影响。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NVMFS2D3P04M8LT1G
NVMFS5C638NLWFT1G
MT9J003I12STMU-DP
MT9P006I12STCU-DR
AR0140CS2C00SUEA0
AR0833CS3C12SUAA0
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NCP1380DDR2G简述：
NCP1380是一款器件，旨在为准谐振转换器供电。该控制器利用专有的谷值锁定系统，随着功率负载变轻而换档并降低开关频率。尽管开关事件总是在漏源谷触发，但仍能实现稳定运行。该系统工作到第 4 谷，并切换到变频模式，确保出色的待机功率性能。为了提高过载情况下的安全性，该控制器包括一个过功率保护 （OPP） 电路，该电路将输送的功率箝位在高压线路上。在安全方面，固定的内部定时器依靠反馈电压来检测故障。定时器结束后，控制器停止并保持选项 A 和 C 的锁定状态，或进入选项 B 和 D 的自动恢复模式。 该控制器特别适用于适配器应用，其引脚可实现组合过压/过热保护（A 和 B 型）或组合掉压/过压保护（C 和 D 型）。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
FGY120T65SPD-F085
FGH40T65SHDF-F155
FCHD040N65S3-F155
NVD5117PLT4G-VF01
NTMFS002P03P8ZT1G
NVMFS5C410NLAFT1G
NVMFS3D6N10MCLT1G
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NCP1399ACDR2G
NCP1399是一款用于半桥谐振转换器的电流模式控制器。这款控制器实施了600V栅极驱动器，简化了布局，减少了所需的外部组件数量。内置的欠电压输入功能简化了控制器在所有应用中的实现。在需要PFC前级的应用中，NCP1399具有一个输出来驱动PFC控制器。这个功能结合的Skip模式技术进一步提高了整个应用的轻负载能效。NCP1399提供了一套保护功能，可实现在任何应用中的安全运行。其中包括：过载保护、防止硬开关周期的过电流保护、欠电压检测、开路光耦合器检测、自动死区时间调节、过电压（OVP）和过温（OTP）保护。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
MC74LVXT8051DR2G
NB7NPQ1002MMTTWG
NCP1253BSN100T1G
NCP3335AMN280R2G
NCP380LSNAJAAT1G
NCP45520IMNTWG-L
NCP716BCSN330T1G
NCP716BCSN500T1G
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