泛光照明维修维保景区夜景照明

照明原理
LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-V特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料带隙Eg有关，即 λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。

（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的大值。超过此值，LED发热、损坏。
（2）大正向直流电流IFm：允许加的大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
（3）大反向电压VRm：所允许加的大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。
（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。
不改变材质的前提下，在LED的极限范围内，提高亮度的手段就是提高电流，随着电流升高，LED发热量会剧增。使用过LED光源便携投影机的，或微投的朋友，一定都深有体会，LED光源的投影机，非常热，而且普遍会有明显的噪音。这些产品，机身小是一方面，关键还是其自身发热量较大所致。
随着功率的增加，LED的散热问题显得越来越，大量实际应用表明，LED不能加大输入功率的基本原因，是由于LED在工作过程中会放出大量的热，使管芯结温迅速上升，热阻变大。输入功率越高，发热效应越大。温度的升高将导致器件性能变化与衰减，非辐射复合增加，器件的漏电流增加，半导体材料缺陷增长，金属电极电迁移，封装用环氧树脂黄化等等，严重影响LED的光电参数。甚至使功率LED失效。因此，对于LED器件，降低热阻与结温、对发光二极管的热特性进行研究显得日趋重要。

一家公司推出了一款可TRIAC调光的内嵌了驱动电源的13WLED灯泡，这款根据SSL2102的驱动电源计划选用了铝电解电容。当笔者问及该灯泡的作业寿数时，铝电解电容的作业寿数难题肯定会影响到整个LED灯泡的寿数，但能够采纳一些物理方法来减轻这个难题，如将铝电解电容在PCB上方位接近灯尾，通常来说，接近LED光源有些的温度高，可到达100-200℃，散热金属外壳有些其次，通常为100℃左右，灯尾有些低，通常为70℃左右，因而只需注重把铝电解电容的方位接近灯尾，其寿数就不会衰减得太凶猛。咱们的试验标明，它的寿数还可到达1万小时左右，相当于10年使用时间，这关于通常家庭用户来说，十年换一次LED灯泡基本上是能够承受的。

随着美国环保署于2011年10月公布新版固态照明灯具及光源产品上市规范，业界指出，备受关注的LM-80的光衰测试，预计将从2012年4月起强制实施，在新规范上路后，未来北美市场灯具厂商将采购通过LM-80验证的LED产品，对于未受验证的台湾LED封装及晶粒厂，日后进军美国市场恐将遭受阻碍。
由于LM-80的光衰验证需经过6,000小时测试，耗时长达6~8个月，部分LED业界认为，LED产品规格及技术日新月异，在经过长达数个月后，LED照明验证标准可能又将改变，故对此认证仍抱持存疑，不过工研= 表示，LM-80被视为进入美国市场的入场券，厂商出具LM-80(LED流明维持率)试验的报告证书，才能取得能源之星标章，北美照明工程学会(IES)也已订出LM-80的光衰减检测标准，不仅为LED应用产品提供量测标准，也为消费者提供品质，将成为全球共通的检测标准。

眩光：视野内有亮度的物体或强烈的亮度对比，所造成的视觉不舒适称为眩光，眩光是影响照明质量的重要因素。
同步性：两个或两个以上LED灯在不规定时间内能正常按程序设定的方式运行，一般指内控方式的LED灯，同步性是LED灯实现协调变化的基本要求。
防护等级：IP防护等级是将灯具依其防尘、防湿气之特性加以分级，由两个数字所组成，个数字代表灯具防尘、防止外物侵入的等级（分0-6级），第二个数字代表灯具防湿气、防水侵入的密封程度（分0-8级），数字越大表示其防护等级越高。
光周期：自然界或人造的能够影响生物有机体的亮暗循环。
光度测量：根据给定的光效函数，如V(λ)和V’(λ)，测量辐射量的方法。
光强分布：光源或者灯具在空间各个方向的光强分布。
光强曲线图（表）：光强由极坐标或者图表给出，表中的数值为光源在每1000流明光通时产生的光强。对于光强非对称分布的情况，可采用两个不同平面内的光强分布图来表示该灯具的光强分布情况。

中国半导体照明产业发展向好，外延芯片企业的发展尤其迅速、封装企业规模继续保持较快增长、照明应用取得较大进展。2007年中国LED应用产品产值已超过300亿元，已成为LED全彩显示屏、太阳能LED、景观亮化等应用产品世界大的生产和出口国，新兴的半导体照明产业正在形成。国内在照明领域已经形成一定特色，其中户外照明发展快，已有上百家LED路灯企业并建设了几十条示范道路，但在室内通用照明市场方面仍显落后。