金华LOWVF肖特基二极管报价

SBD的主要优点包括两个方面：

1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。

2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。

但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。

肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式。

同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。不同的是，普通二极管的工作是利用半导体PN 结的单向导电特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到单向导电作用，它是以多数载流子工作的整流器件，因而在开关时没有少数载流子的存储电荷和移动效应。所以，肖特基二极管的开关速度非常快，反向恢复时间trr很短 (小于几十ns)；同时，其正向压降V F 较小，尤其适用于高速开关电路和低压大电流输出电路，具有较高的整流效率和可靠性。但肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压V R 较低，一般只有 100V 左右；二是反向漏电流IR 较大。

肖特基二极管是由PN结和金属接触界面组成的特殊二极管，具有以下特点：

正向电压下具有极低的正向压降（仅为0.2V左右），因此具有快速开关特性，被广泛应用于高频电路中。
反向电流大，但有稳定的温度特性和阻挡电容特性，适用于稳压、限流以及检测等领域。
耐辐射能力强，是航空航天领域常用器件之一。

LOW VF肖特基二极管的直流电压降低:因为肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，所以其正向导通MOSFET和正向压降均低于PN结二极管(约低0.2V)。LOW VF肖特基二极管具有高工作频率:由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应很小，其频率响应只受RC时间常数的限制，因此是高频快速开关的理想器件。它的工作频率可以达到100千兆赫。
LOW VF肖特基二极管在微波通信电路中用作整流二极管和小信号检测二极管。它常用于通信电源、变频器等。一个典型的应用是，在双极晶体管BJT的开关电路中，LOW VF肖特基二极管连接到BJT箝位电路，使得晶体管在导通状态时实际上处于非常关断的状态，从而提高晶体管的开关速度。该方法适用于典型数字集成电路的TTL内部电路，如74LS、74ALS和74AS。