而烧结技术通过高温使AS9330表面原子互相扩散，从而形成致密结构的过程，也称之为“低温烧结技术”。加入纳米银粒子的低温烧结技术大大提升了导热及导电性能，可满足对于第三代半导体高功率器件的电子互联应用。
AS9330半烧结银的 导热系数范围80W/mK-100W/ mK，在银、铜和镍钯金引线框架的封装内电阻更低的热阻（Rth）- 0.4K/W。
AS9330半烧结银无需高温高压，可以在175度至200度温度范围下低温烧结并且粘接力稳定。剪切强度高达45MPA。
半烧结银AS9330的工艺流程如下：1 清洁芯片和被粘结的界面2 假设界面表面能太低，建议提高界面表面能.
半烧结银AS9330粘结尺寸过大时，建议一个界面开导气槽； 一个界面涂布烧结银AS9330时，涂布的要均匀
AS9200系列烧结银胶：包括9220烧结银胶，9221烧结银胶。 AS9100系列纳米烧结银浆：包括9101烧结银浆，9120烧结银浆，9150烧结银浆。