武汉生产晶圆导片器半导体自动推片器

晶圆是半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆的原始材料是硅，而硅是由石英砂所精练出来的，晶圆便是由硅元素加以纯化（可达到99.999%），接着将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，之后经过照相制版，研磨，抛光，切片等一系列程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。硅晶圆的制造可被归纳为三个基本步骤，分别是硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。目前晶圆制造过程涉及的材料有硅片、掩膜版、电子气体、光刻胶配套试剂、CMP材料、工业化学品、光刻胶、靶材等等，其中硅片在各材料占比为31%，是晶圆的重要组成部分

由于激光在聚焦上的优点，聚焦点可小到亚微米数量级，从而对晶圆的微处理更具有优势，可以进行小部件的加工。即使在不高的脉冲能量水平下，也能得到较高的能量密度，有效进行材料加工。激光划片属于非接触式加工，可以避免出现芯片破碎和其它损坏现象。

加工优势：

1、划片速度快，，成片率高，切割速度150mm/s

2、非接触式加工，无机械应力，适合切脆性易碎晶圆

3、CCD快速定位功能，实现同轴监视或旁轴监视功能

4、二维直线运动平台，高精密DD旋转平台，大理石基石，稳定可靠，热变形小

5、操控系统，全中文操作界面，操作直观、简易、界面良好

6、无需砂轮刀、蓝膜、去离子水等耗材，高可靠性和稳定性，划片质量高，玻璃钝化层无崩裂和微裂纹。

在许多晶圆的切割期间经常遇到的较窄迹道(street)宽度，要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和对准运算的设备。当用窄迹道切割晶圆时的一个常见的推荐是，选择尽可能薄的刀片。可是，很薄的刀片(20µm)是非常脆弱的，更容易过早破裂和磨损。结果，其寿命期望和工艺稳定性都比较厚的刀片差。对于50~76µm迹道的刀片推荐厚度应该是20~30µm。

现有晶圆隔道通常采用裂片刀沿着切割线进行切开,使得容易造成芯片隔道交错区域边缘崩裂的同时产生的碎屑不好排出,并且现有的晶圆在裂片时,由于受到不同方向的力进行裂片,裂片效率较低,同时容易让芯片发生位移,从而产生划痕造成损伤。

因为制作工艺决定了它是圆形的。因为提纯过后的高纯度多晶硅是在一个子晶(seed)上旋转生长出来的。多晶硅被融化后放入一个坩埚(Quartz Crucible)中，再将子晶放入坩埚中匀速转动并且向上提拉，则熔融的硅会沿着子晶向长成一个圆柱体的硅锭(ingot)。这种方法就是现在一直在用的 CZ 法(Czochralski)，也叫单晶直拉法。