半烧结银铜CLIP烧结银国产烧结银

大面积无压烧结银的主要成分：纳米银粉、有机载体等，可以栽无压的条件下焊接10mm*10mm的大芯片，也可以焊接更大面积的芯片。

大面积烧结银的烘烤曲线
1）从室温升温至 80℃，升温速率 3℃/min。在 80℃保温 40 分钟；
2）从 80℃升温至 130℃，升温速率 3℃/min。在 130℃保温 40 分钟；
3）从 130℃升温至 200℃，升温速率 5℃/min。在 200℃保温 120 分钟；
4）降温时间 60

由于大面积烧结银的的使用条件不在我们的控制范围之内，而且应用十分广泛，因此以下声明将代替所有的明确或暗示的担保（包括对产品性能或适用某一特殊用途的担保）：