青浦好用的氮化镓二极管报价

GaN基光电器件已经商业化，而GaN HEMT拥有如此出色的功率特性，但仍没有实现商品化，除了与其相竞争的半导体器件己经牢牢占据了市场，其成本较高以及人们心里层面的问题外，重要的还是因为还有需要解决的问题。相对于Si和其它Ⅲ－Ⅴ族技术，如SiC技术，GaN技术仍不成熟。而且，对GaN HEMT的长期稳定性和可靠性也了解甚少。GaN HEMT漏极电流受频率影响而发生变化，存在漏极电流崩塌现象。该现象影响器件的大RF漏极电流，使其远小于同一或相似器件直流情况下所得到的大电流。

氮化镓，分子式GaN，英文名氮化镓是一种氮和镓的化合物，镓是一种具有直接带隙的半导体材料，自1990年以来一直在发光二极管中广泛使用。这种化合物的结构类似于纤锌矿，其硬度很高。Keep Tops的氮化镓具有3.4电子伏的极宽能隙，可用于大功率、高速的光电元件，其单芯片亮度理论上可达到过去的10倍。

：主要包括高输出功率、高功率密度、高工作带宽、率、体积小、重量轻等。目前代、第二代半导体材料在输出功率方面已达到极限并且由于GaN半导体在热稳定性方面的优势，很容易实现高工作脉宽和高工作比。功率增加 10 倍。