广东烧结银全烧结纳米烧结银宽禁带烧结银

传统钎焊料熔点低、导热性差，难以满足高功率器件封装及其高温应用要求。此外随着第三代半导体器件（如碳化硅和氮化镓等）的快速发展，对封装的性能方面提出了更为严苛的要求。AS9385有压银烧结技术是一种新型的高可靠性连接技术，在功率模块封装中的应用受到越来越多的关注。

有压银烧结AS9385是一种新型的高可靠芯片粘接和键合技术，可确保无空隙和高强度键合，并具有的导热性和导电性。 该技术可以将器件的结温 (Tj) 低降至150℃。

①烧结连接层成分为银，具有的导电和导热性能；②由于银的熔点高达（961℃），将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连接层中出现的典型疲劳效应，具有的可靠性；