W9725G6KB25ITR，WINBOND/华邦存储芯片

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。详情请或联系。
W25Q128JVEIQ128M 位串行闪存，具有统一的 4KB 扇区和双/四通道 SPI
一般说明 W25Q128JV（128M 位）串行闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。25Q 系列提供的灵活性和性能远远超过普通串行闪存设备。它们非常适合将代码影子复制到 RAM，直接从双/四通道 SPI （XIP） 执行代码并存储语音、文本和数据。该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电，关断时电流消耗低至 1μA。所有器件均采用节省空间的封装。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q128FWSIG W25Q128JVFIQ
W25Q128FWSIQ W25Q128JVPIQ
W25Q128FWSQ W25Q128JVSAQ
W25Q128FWXR W25Q128JVSIM
W25Q128FWYIC W25Q128JVSIMTR
W25Q128JVBIQ W25Q128JVSIQ
W25Q128JVCIM W25Q128JVSIQTR
W25Q128JVEIQ W25Q128JVSQ
W25Q128JVEQ W25Q128JVSSIQ
W25Q128JVFIM W25Q128JWEIQ
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多信息咨询我们的销售人员。

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。详情请或联系。
W25Q64JV 阵列分为 32，768 个可编程页，每个页 256 字节。
一次多可编程 256 个字节。页面可以按 16 个组（4KB 扇区擦除）、128 组（32KB 块擦除）、256 组（64KB 块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。
W25Q64JV 分别有 2，048 个可擦除扇区和 128 个可擦除块。小型 4KB 扇区为需要数据和参数存储的应用程序提供了更大的灵活性
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q128JWPIQ W25Q16CVSIG
W25Q128JWSIQ W25Q16CVSNAG
W25Q128JWYIQ W25Q16CVSP
W25Q16BVNIG W25Q16CVSSIG
W25Q16BVS1G W25Q16DVDAIG
W25Q16BVSIG W25Q16DVIG
W25Q16BVSNIG W25Q16DVNIG
W25Q16BVSSIG W25Q16DVSIG
W25Q16CLNIG W25Q16DVSNIG
W25Q16CLSSIG W25Q16DVSNSG
W25Q16CVAIG W25Q16DVSSIG
W25Q16CVSFIG W25Q16DVUUIG
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多信息咨询我们的

W25Q32JV系列：
W25Q32JVSSIQ
W25Q32JVZPIQ
W25Q32JVTCIQ
W25Q32JVZEIQ
W25Q32JVSSIM
W25Q32JVSSAQ
W25Q32JVZEIQ
产品特性：
具有 4KB 扇区的灵活架构 – 统一扇区/块擦除（4K/32K/64K 字节） – 每个可编程页编程 1 至 256 字节 – 擦除/程序暂停和恢复  安全功能 – 软件和硬件写保护 – 特殊 OTP 保护（2） – 顶部/底部，补码阵列保护 – 单个块/扇区阵列保护 – 每个设备的 64 位 ID – 可发现参数 （SFDP） 寄存器 – 3X256 字节安全寄存器 – 易失性和非易失性状态 寄存器位  节省空间的封装 – 8 引脚 SOIC/VSOP 150/208 密耳 – 16 针 SOIC 300 密耳 – 8 焊盘 WSON 6x5 毫米/8x6 毫米 – 8 焊盘 USON 4x3 毫米 – 8 焊盘 XSON 4x4 毫米 – 24 引脚 TFBGA 8x6 毫米（6x4/5x5 球阵列）
主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。详情请或联系

W634GU6NB-12
W634GU6NB-11
W634GU6NB-09
W634GU6NB-15
DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的频宽并广泛用于汽车，工业，电视，机上盒，网路设备，电脑，BD播放器等。
已发布的 CAS，具有可编程的加性延迟（AL = 0、CL - 1 和 CL - 2），可提高命令、地址和数据总线效率
读取延迟 = 附加延迟加上 CAS 延迟 （RL = AL + CL） 读取和写入突发
的自动预充电操作 刷新、自刷新、自动自刷新 （ASR） 和部分阵列自刷新 （PASR）
预充电掉电和主动断电
用于写入数据
的数据掩码 （DM）
每个工作频率
的可编程 CAS 写入延迟 （CWL） 写入延迟 WL = AL + CWL
多用途寄存器 （MPR），用于读出预定义的系统时序校准位序列 通过写入电平和 MPR 读取模式
支持系统级时序校准 ZQ 使用外部基准电阻对地对地对输出
驱动器和 ODT 进行校准 用于上电初始化序列
和复位功能的
可编程片上端接 （ODT），用于数据、数据掩模和差分选通对
动态 ODT 模式可改善写入
期间的信号完整性和可预选的端接阻抗 2K 字节页面大小
接口：SSTL_15
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q20EWBYIG W25Q256JVEIM
W25Q20EWSVIG W25Q256JVEIQ
W25Q20EWUXIE W25Q256JVEIQT
W25Q256FVEIG W25Q256JVEQ
W25Q256FVEIM W25Q256JVFAM
W25Q256FVEIQ W25Q256JVFIM
W25Q256FVEJQ W25Q256JVFIN
W25Q256FVEM W25Q256JVFIQ
W25Q256FVFG W25Q256JVFJQ
W25Q256FVFIG W25Q256JVFQ
W25Q256JVEAQ W25Q256JWFIQ
公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。

W29N02KV系列产品：
W29N02KVSIAF
W29N02KVBIAF
一般描述 W29N02KV（2G 位）NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的嵌入式系统提供了存储解决方案。它是 RAM、固态应用程序的代码阴影和存储媒体数据（如语音、视频、文本和照片）的理想选择。该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电，3V 时有功电流消耗低至 25mA，CMOS 待机电流为 10uA。 内存阵列总计 285，212，672 字节，并组织成 2，048 个 139，264 字节的可擦除块。 每个块由 64 个可编程页面组成，每个页面 2，176 字节。每个页面由 2，048 字节用于主数据存储和 128 字节用于备用数据区域组成（备用区域通常用于错误管理功能）。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q256JWFQ W25Q32FVAIQ
W25Q32BVAIG W25Q32FVCIP
W25Q32BVFIG W25Q32FVDAIQ
W25Q32BVIG W25Q32FVFIG
W25Q32BVS1G W25Q32FVIG
W25Q32BVSIG W25Q32FVSFIG
W25Q32BVSSAG W25Q32FVSIG
W25Q32BVSSIG W25Q32FVSIQ
W25Q32BVZPIG W25Q32FVSSIG
W25Q32DWSSIG W25Q32FVSSIQ
W25Q32DWZPIG W25Q32FVTBIP
主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。

W958D6DBC：这是一个256M位CellularRAM™兼容产品，组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
PSRAM（虚拟静态随机存取记忆体）是由一个DRAM主体核心与传统SRAM介面所组成。晶片上的刷新电路，可省略使用者需要记忆体刷新的考量。相对于传统的CMOS SRAM，PSRAM具有更高容量，高速度，更小的晶片尺寸，以及与DRAM相容的优势
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q64DWSS1G W25Q64FVSSBQ
W25Q64DWSTIM W25Q64FVSSIG
W25Q64DWZPIG W25Q64FVSSIQ
W25Q64FVAIQ W25Q64FVSTIM
W25Q64FVBYIF W25Q64FVTCIP
W25Q64FVFIG W25Q64FVZEIG
W25Q64FVSFIG W25Q64FVZPIG
W25Q64FVSIG W25Q64FWBYIG
W25Q64FVSIQ W25Q64FWIG
公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。