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加压纳米烧结银膏德国烧结银替代

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①烧结连接层成分为银,具有的导电和导热性能;②由于银的熔点高达(961℃),将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连接层中出现的典型疲劳效应,具有的可靠性;

芯片转印是指将芯片在银膜上压一下,利用芯片锐利的边缘,在银膜上切出一个相同面积的银膜并粘连到芯片背面。

以AS9385有压烧结银膏为例,在烧结过程中,银颗粒通过接触形成烧结颈,银原子通过扩散迁移到烧结颈区域,从而烧结颈不断长大,相邻银颗粒之间的距离逐渐缩小,形成连续的孔隙网络,随着烧结过程的进行,孔洞逐渐变小,烧结密度和强度显著增加,在烧结后阶段,多数孔洞被完全分割,小孔洞逐渐消失,大空洞逐渐变小,直到达到终的致密度。

下一条:湖北襄阳低温无压纳米烧结银
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无空洞烧结银信息

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