浙江烧结银大芯片烧结银CLIP烧结银

AS9378主要应用领域：第三代功率半导体器件、大功率发光二极管、大功率芯片、光通讯 TO 器件、大功率模块和其他需要高导热、导电和高强度粘接的场合。

大面积无压烧结银的主要成分：纳米银粉、有机载体等，可以栽无压的条件下焊接10mm*10mm的大芯片，也可以焊接更大面积的芯片。

大面积烧结银的导热系数为： 200W/m·K， （激光闪射法）；剪切强度为60 (MPa) 5*5mm （金-金，25℃）。

以上数据信息是基于我们在温度 25℃，湿度 70％的环境下对产品研究测试所得到的典型数据，仅供
客户使用时参考，并不能完全于某个特定环境进能达到的全部数据。

大面积烧结银的使用要求
1. 使用前回温至室温；
2. 使用前在行星搅拌机中进行 2500rpm/30s 搅拌处理；
3. 框架表面镀金、银，芯片背面镀金、银

大面积烧结银AS9378的样本提供的技术参数仅供参考，它们会随不同的工况条件，如设备类型、材质、工艺条件等改变。
使用产品之前，请仔细阅读材料安全资料，产品及产品使用说明：